Вплив температури підкладки на знак носіїв заряду у плівках PbTe

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЛюбченко, С.uk
dc.contributor.authorРогачова, Олена Іванівнаuk
dc.date.accessioned2021-04-16T12:54:47Z
dc.date.available2021-04-16T12:54:47Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractПри кімнатній температурі досліджено залежність коефіцієнта термо-електронно-рушійної сили (термо-е.р.с.) від товщини тонких плівок PbTe (d = 10-450 нм), які були виготовлені методом термічного випаровування у вакуумі на підкладки зі слюди при температурах 380 та 530 К. Досліджувались плівки з покриттям для захисту від окиснення і без захисного покриття. Отримані товщинні залежності проаналізовано із урахуванням впливу різних чинників, що визначають тип провідності, який простежено у тонких плівках PbTe – зміна стехіометрії тонкої плівки при зміні температури підкладки, процеси окиснення, зміна складу шихти в процесі випаровування.uk
dc.description.abstractRoom-temperature dependences of the thermoelectric power on the thickness (d = 10-450 nm) of PbTe thin films prepared by the thermal evaporation in vacuum of ntype crystal PbTe on the mica substrates at the temperatures of 380 and 530 К were investigated. The films with and without protected covering were studied. Obtained thickness dependences were analyzed taking into account the different factors which determined the conductivity type in PbTe thin films – change of the thin film stoichiometry under change of the substrate temperature, the oxidation processes, change of the charge composition during evaporation.en
dc.identifier.citationЛюбченко С. Вплив температури підкладки на знак носіїв заряду у плівках PbTe / С. Любченко, О. Рогачова // Вісник Львівського університету. Серія фізична = Visnyk of the Lviv University. Series Physics : зб. наук. пр. – Львів : ЛНУ, 2006. – Вип. 39. – С. 122-126.uk
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/52203
dc.language.isouk
dc.publisherЛьвівський національний університет ім. Івана Франкаuk
dc.subjectтелурид свинцюuk
dc.subjectтонкі плівкиuk
dc.subjectстехіометріяuk
dc.subjectокисненняuk
dc.subjectкоефіцієнт термо-електронно-рушійної силиuk
dc.subjectlead tellurideen
dc.subjectstoichiometryen
dc.subjectoxidationen
dc.subjectsubstrate temperatureen
dc.subjectthermoelectric poweren
dc.titleВплив температури підкладки на знак носіїв заряду у плівках PbTeuk
dc.title.alternativeEeffect of the substrate temperature on the charge carriers sign in PbTe thin filmsen
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
visnyk_LU_2006_39_Liubchenko_Vplyv_temperatury.pdf
Розмір:
274.02 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.25 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Кафедра "Фізика"