Численно-аналитический подход и рабочие характеристики фронтальных р-n переходов

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorШевченко, А. И.ru
dc.contributor.authorМазинов, А. С.ru
dc.contributor.authorПисаренко, Л. Д.ru
dc.date.accessioned2014-11-11T09:04:41Z
dc.date.available2014-11-11T09:04:41Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractПроведены экспериментальные и теоретические исследования фотоэлектрических элементов на основе монокристаллического кремния. Рассмотрены основные теоретические аппроксимации для описания фронтального близко залегающего р-n перехода. Предложен численно–аналитический подход к описанию диффузионной модели барьера оптоэлектронного прибора. Из сравнения экспериментальных и теоретических зависимостей показаны возможные технологические особенности, изменяющие токовые характеристики прибора.ru
dc.description.abstractExperimental studies and theory of galvanic photovoltaic elementary based on single-crystal silicon were made. The principal theoretical approximations to describe the frontal shallow p-n junction were considered. A numerical and analytical approach to the description of the diffusion model of the barrier of optoelectronic device was proposed. A comparisons of experimental and theoretical curves show the possible technological features that change the current characteristics of the device.en
dc.identifier.citationШевченко А. И. Численно-аналитический подход и рабочие характеристики фронтальных P-N переходов / А. И. Шевченко, А. С. Мазинов, Л. Д. Писаренко // Энергосбережение. Энергетика. Энергоаудит = Energy saving. Power engineering. Energy audit. – 2013. – № 8. – Спец. вып. Т. 1 : К 50-летию со дня основания кафедры промышленной и биомедицинской электроники Национального технического университета “Харьковского политехнического института”. – С. 182-186.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/10123
dc.language.isoru
dc.publisherНТУ "ХПИ"ru
dc.subjectфотогальванический приборru
dc.subjectвольтамперные характеристикиru
dc.subjectмонокристаллический кремнийru
dc.subjectoptoelectronic deviceru
dc.subjectdiffusion modelru
dc.subjectnumerical and analytical calculationru
dc.subjectsolar cellru
dc.titleЧисленно-аналитический подход и рабочие характеристики фронтальных р-n переходовru
dc.title.alternativeNumerical and analytical approach and performance the frontal р-n junctionen
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
EEE_2013_8_T_1_Shevchenko_Numerical.pdf
Розмір:
780.61 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.23 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Кафедра "Туризм i готельно-ресторанний бізнес"