Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЖуравель, Игорь Александровичru
dc.contributor.authorБугаев, Егор Анатольевичru
dc.contributor.authorПеньков, А. В.ru
dc.contributor.authorЗубарев, Евгений Николаевичru
dc.contributor.authorСеврюкова, Виктория Анатольевнаru
dc.contributor.authorКондратенко, Валерий Владимировичru
dc.date.accessioned2022-06-25T22:33:49Z
dc.date.available2022-06-25T22:33:49Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractИсследована структура и фазовый состав многослойных периодических композиций C/Si при помощи малоугловой рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии и Рамановской спектроскопии при температурах 50—1050 °C. В исходном состоянии композиция C/Si представляет собой аморфные слои углерода и кремния, разделенные аморфными перемешанными зонами различной плотности. С ростом температуры происходит изменение периода композиции вследствие роста зон и графитизации углерода. При 700 °C начинается кристаллизация кремния. При 800 °C на основе кристаллического кремния формируется кристаллический SiC кубической модификации. При 900—1000 °C происходит разрушение периодической структуры композиции.ru
dc.description.abstractДосліджено структуру та фазовий склад багатошарових періодичних композицій C/Si за допомогою малокутової рентгенівської дифракції, просвічувальної електронної мікроскопії та Раманівської спектроскопії при температурах 50—1050 °C. У початковому стані композиція C/Si є аморфними шарами вуглеця та кремнію, розділеними аморфними змішаними зонами різної густини. Зі зростанням температури відбувається змінення періоду композиції внаслідок зростання зон та графітизації вуглецю. При 700 °C починається кристалізація кремнію. При 800°C на основі кристалічного кремнію формується кристалічний SiC кубічної модифікації. При 900—1000 °C відбувається руйнування періодичної структури композиції.uk
dc.description.abstractStructure and composition of C/Si periodical multilayers were investigated by means of low-angle X-ray diffraction, transmission electron microscopy and Raman spectroscopy at temperatures within 50—1050 °C range. In as-deposited state C/Si multilayer presents amorphous carbon and silicon layers divided by amorphous intermixing layers of different density. As the temperature increases, multilayer period changes as a result of increase of intermixing layers and carbon graphitization. At 700 °C silicon crystallization begins. At 800 °C crystalline SiC of cubic modification forms on basis of crystalline silicon. At 900—1000 °C destruction of multilayer periodical structure takes place.en
dc.identifier.citationЭволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si / И. А. Журавель [и др.] // Физическая инженерия поверхности = Physical surface engineering. – 2014. – Т. 12, № 1. – С. 20–30.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/57471
dc.language.isoru
dc.publisherХарківський національний університет ім. В. Н. Каразінаuk
dc.subjectнаноразмерные композицииru
dc.subjectэкстремальный ультрафиолетru
dc.subjectмногослойная оптикаru
dc.subjectструктурно-фазовые превращенияru
dc.subjectмежслоевое взаимодействиеru
dc.subjectтермостабильностьru
dc.subjectнанорозмірні композиціїuk
dc.subjectекстремальний ультрафіолетuk
dc.subjectбагатошарова оптикаuk
dc.subjectструктурно-фазові перетворенняuk
dc.subjectміжшарова взаємодіяuk
dc.subjectтермостабільністьuk
dc.subjectnanoscale compositionsen
dc.subjectextreme ultravioleten
dc.subjectmultilayer opticsen
dc.subjectstructural and phase transformationsen
dc.subjectlayer interactionen
dc.subjectthermostabilityen
dc.titleЭволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Siru
dc.title.alternativeЕволюція структури і механізм термічного руйнування багатошарових композицій С/SIuk
dc.title.alternativeEvolution of Structure and Mechanism of Thermal Decomposition of C/Si Multilayersen
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
PSE_2014_12_1_Zhuravel_Evolyuciya_struktury.pdf
Розмір:
1.65 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.25 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"