Исследование процесcов травления кристаллов высокоомного CdZnTe в йодсодержащих растворах
Вантажиться...
Дата
2011
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"
Анотація
Детекторы γ-излучения на основе CdTe проходят ряд предварительных операций, одна из которых
химическое травление и полирование. В работе исследован процесс химического травления кри-сталлов СdZnTe в растворах І2-ДМФА. Установлена зависимость скорости травления от концентрации йода. Определены диапазоны концентраций йода для полирующего и селективного травления.
CdTe gamma-ray detectors pass trough a sequence of preliminary operations, one of them is chemical etching and polishing. The chemical etching process of CdZnTe crystal in iodine-dimethylformamide solution was studied in this work. The dependence of etching speed from iodine concentration was determined. The ranges of iodine concentrations for polishing and selective etching were defined.
CdTe gamma-ray detectors pass trough a sequence of preliminary operations, one of them is chemical etching and polishing. The chemical etching process of CdZnTe crystal in iodine-dimethylformamide solution was studied in this work. The dependence of etching speed from iodine concentration was determined. The ranges of iodine concentrations for polishing and selective etching were defined.
Опис
Ключові слова
полупроводниковые соединения, высококачественные детекторы, химическое травление, полирование, диапазоны концентраций йода
Бібліографічний опис
Исследование процесcов травления кристаллов высокоомного CdZnTe в йодсодержащих растворах / Е. А. Богдан [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Химия, химическая технология и экология. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 65. – С. 98-103.