Влияние электромагнитного излучения на работоспособность полупроводниковых приборов
Вантажиться...
Дата
2018
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
Исследованы существующие физические механизмы влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов в области необратимых отказов. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток., обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных час-
тиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих елементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных електронных состояний на неровной поверхности проводящих твер-
дых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения.
Existing physical models of mechanisms of influence of external electromagnetic radiation on the efficiency of semiconductor devices in the field of irreversible failures are investigated. It is shown that the effect of pulsed electromagnetic radiation on electric products is often accompanied by the emergence of currents in the leading elements of products and the formation of their internal fields. A mechanism for the appearance of surface electronic states on uneven boundaries of conducting solid media is proposed. The mechanisms of occurrence of instability of eigen oscillations of semiconductor superstructures, determined by their interaction with the flows of charged particles under conditions of external electromagnetic radiation, are determined. The influence of inhomogeneous surface properties in radiating structures on the spectral characteristics of the transition and Cherenkov radiation is investigated.
Existing physical models of mechanisms of influence of external electromagnetic radiation on the efficiency of semiconductor devices in the field of irreversible failures are investigated. It is shown that the effect of pulsed electromagnetic radiation on electric products is often accompanied by the emergence of currents in the leading elements of products and the formation of their internal fields. A mechanism for the appearance of surface electronic states on uneven boundaries of conducting solid media is proposed. The mechanisms of occurrence of instability of eigen oscillations of semiconductor superstructures, determined by their interaction with the flows of charged particles under conditions of external electromagnetic radiation, are determined. The influence of inhomogeneous surface properties in radiating structures on the spectral characteristics of the transition and Cherenkov radiation is investigated.
Опис
Ключові слова
электромагнитные поля, необратимые отказы, неустойчивость, собственные колебания, поверхностные волны, electromagnetic fields, oscillations, instability, charged particles, radiation
Бібліографічний опис
Кравченко В. И. Влияние электромагнитного излучения на работоспособность полупроводниковых приборов / В. И. Кравченко, И. В. Яковенко, Л. В. Ваврив // Вісник Національного технічного університету "ХПІ". Сер. : Техніка та електрофізика високих напруг = Bulletin of the National Technical University "KhPI". Ser. : Technique and Electrophysics of High Voltage : зб. наук. пр. – Харків : НТУ "ХПІ", 2018. – № 36 (1312). – С. 33-36.