Генерация электромагнитных колебаний полупроводниковой структуры в условиях стороннего электромагнитного воздействия
Вантажиться...
Дата
2012
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
Показано, что действие импульсного электромагнитного излучения (ЭМИ) на электроизделия (ЭРИ) часто сопровождается возникновением токов в проводящих элементах ЭРИ и образованием их внутренних полей. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых cверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях действия внешнего ЭМИ
The influence of pulsed electromagnetic radiation on electric radio apparatus is often accompanied by currents arcsing on inner current – conducting elements as well as by the distortion of their internal fields. The power losses of the flow of charged particles caused by such an interaction due to excitation of surface polaritons in the semiconductor structure have been determined
The influence of pulsed electromagnetic radiation on electric radio apparatus is often accompanied by currents arcsing on inner current – conducting elements as well as by the distortion of their internal fields. The power losses of the flow of charged particles caused by such an interaction due to excitation of surface polaritons in the semiconductor structure have been determined
Опис
Ключові слова
электромагнитное излучение, электроизделия, проводящие элементы, внутренние поля, полупроводниковые cверхрешетки, заряженные частицы
Бібліографічний опис
Кравченко В. И. Генерация электромагнитных колебаний полупроводниковой структуры в условиях стороннего электромагнитного воздействия / В. И. Кравченко, Ф. В. Лосев, И. В. Яковенко // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Техника и электрофизика высоких напряжений. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2012. – № 21. – С. 161-169.