Изучение процессов кристаллизации карбида кремния путём совместного разложения тетрахлорида кремния и толуола в присутствии водорода
Вантажиться...
Дата
2011
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
Описан принцип получения карбида кремния на установке проточного типа. В зависимости от
различного соотношения между активными компонентами газовой фазы SiCl4:C7H8,
поступающими в реактор, исследована и изучена морфология SiC слоя. Показано влияние
скорости парогазового потока и температуры подложки на скорость осаждения SiC.
Is described principle of obtaining silicon carbide on install a flow-through type. Depending on the different ratio between the active components of the gas phase SiCl4: C7H8, has been investigated and studied the morphology of the SiC layer. Shown the influence of velocity steam-gas flow and substrate temperature on deposition rate of SiC.
Is described principle of obtaining silicon carbide on install a flow-through type. Depending on the different ratio between the active components of the gas phase SiCl4: C7H8, has been investigated and studied the morphology of the SiC layer. Shown the influence of velocity steam-gas flow and substrate temperature on deposition rate of SiC.
Опис
Ключові слова
получение карбида кремния, установка проточного типа, парогазовая смесь, морфология слоя SiC, процесс осаждения SiC, применение карбида кремния
Бібліографічний опис
Изучение процессов кристаллизации карбида кремния путём совместного разложения тетрахлорида кремния и толуола в присутствии водорода / П. И. Глушко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 34. – С. 26-29.