Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Зараз показуємо 1 - 20 з 414

Тепловое расширение тонких монокристальных пленок золота
(Наука, 1983) Пугачев, Анатолий Тарасович; Багмут, Александр Григорьевич; Чуракова, Наталия Петровна; Волков, Ю. А.
Методом дифракции быстрых электронов на просвет определены коэффициенты теплового расширения пленок золота толщиной ~ 4 нм и поверхностного атомного слоя.
Структура и фазовые превращения аморфных конденсатов Au, легированных кислородом
(Львівський державний університет ім. Івана Франка, 1993) Багмут, Александр Григорьевич; Косевич, Вадим Маркович
Defects of non-stoichiometry and dynamic stability of SnTe crystal lattice
(1993) Rogacheva, E. I.; Sinelnik, N. A.; Nashchekina, O. N.; Popov, V. P.; Lobkovskaya, T. A.
The temperature dependencies of coefficient of linear expansion α in the range of 4.2-300 K were obtained for SnTe samples with various degrees of deviation from stoichiometry. For the sample of stoichiometric composition in the α vs. temperature curves the anomalies connected with ferroelectric phase transition were detected. It was found that within cubic phase existence region α isotherms have a minimum at 50.4 at.% Te. Maximum dynamic stability at indicated composition is believed to be associated with the formation of vacancy superstructure.
Concentration anomalies of properties in Pb₁₋ₓGeₓTe solid solutions
(1993) Rogacheva, E. I.; Sinelnik, N. A.; Nashchekina, O. N.
The investigation of electrical conductivity, coefficient of thermal electromotive force, Hall coefficient, microhardness and mobility in Pb₁₋ₓGeₓΤe (x = 0 : 0.1) alloys in the temperature range of 77-300 K was carried out. Anomalies were detected in isotherms of properties in the vicinity of x = 0.008. The anomalies were treated as a manifestation of concentration phase transitions occurring in solid solutions of any kind and associated with existence of critical concentration (percolation threshold) at which the uninterrupted chain of interactions between impurity atoms is formed.
Структурообразование в пленках при импульсном облучении лазерной плазмой
(Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, 1993) Багмут, Александр Григорьевич; Сарана, В. Д.; Машкаров, Ю. Г.
Низкотемпературная решеточная нестабильность SnTe
(Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б. І. Вєркіна, 1999) Нащекина, Ольга Николаевна; Исакина, А. П.; Прохватилов, А. И.; Рогачева, Елена Ивановна; Федоренко, А. И.
При нагреве в интервале 80–290 К получены температурные зависимости параметра элементарной ячейки a(Е) теллурида олова с различной степенью отклонения от стехиометрии. Для образца стехиометрического состава (50 ат. % Te) на зависимости a(T) в области 90–100 К обнаружена аномалия, по-видимому, соответствующая известному сегнетоэлектрическому фазовому переходу (ФП). При 50,4 ат. % Te в интервалах 135150 К и 200–215 К наблюдаются резко выраженные скачки параметра Δa/a ≈ 0,015), отвечающие отрицательному коэффициенту теплового расширения. При дальнейшем увеличении степени отклонения от стехиометрии (50,8 ат. % Te) указанные эффекты менее выражены. Неустойчивость кристаллической решетки в определенных температурных интервалах связывается с фазовыми переходами в подсистеме собственных дефектов – нестехиометрических вакансий, – обусловленными их перераспределением по катионной подрешетке при изменении температуры и состава. Выясняется роль релаксационных явлений в процессе перестройки дефектной подсистемы кристалла.
Изотермы теплопроводности в твердых растворах PbTe–MnTe
(Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2001) Рогачева, Елена Ивановна; Кривулькин, И. М.
Получены температурные зависимости (в интервале 170-670 K) теплопроводности λ твердых растворов PbTe–MnTe (0-4 mol.% MnTe). На основе этих данных построены изотермы решеточной теплопроводности λl и произведена оценка эффективного сечения рассеяния фононов на примесных атомах Mn. На всех изотермах обнаружен участок аномального роста λl в области концентраций 1.25-2.0 mol.% MnTe, не согласующийся с обычно наблюдаемым снижением λl при увеличении концентрации примеси. Предполагается, что аномальный рост λl начинает проявляться после достижения предела протекания, когда в кристалле образуется непрерывная цепочка перекрывающихся деформационных полей, создаваемых отдельными атомами ("бесконечный кластер"); имеет место частичная компенсация напряжений в кристаллической решетке и рассеяние фононов уменьшается. Высказывается предположение об универсальном характере обнаруженного эффекта. Работа выполнена при финансовой поддержке Фонда гражданских исследований и развития США (CRDF, грант UE2-2069), а также Министерства образования и науки Украины в рамках программы "Новые вещества и материалы".
Concentration anomaly of heat capacity in PbTe based solid solutions
(2002) Rogacheva, E. I.; Sinelnik, N. A.; Krivulkin, I. M.
The temperature dependences of the heat capacity in the Pb₁₋ₓMnₓTe and Pb₁₋ₓGeₓTe (x = 0-0.04) solid solutions based on PbTe were obtained in the temperature range of 100-670 K. Pronounced peaks were observed in the isotherms of the heat capacity in the vicinity of x ~ 0.01-0.015. The presence of the peaks is explained on the basis of the idea about the existence of concentration phase transitions of percolation type, which take place in any solid solution and are related to transformation of impurity discontinuum into impurity continuum.
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах PbTe–MnTe
(Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2002) Рогачева, Елена Ивановна; Кривулькин, И. М.
Исследованы температурные зависимости (80-300 K) электропроводности (σ), коэффициента Холла (Rн) и подвижности носителей заряда (μн) литых и прессованных образцов твердых растворов PbTe–MnTe (0–2.5 мол% MnTe). Для литых образцов μн практически не изменяется в интервале 80-140 K, после чего падает по степенному закону μн=aТ⁻ᵛ. Для прессованных образцов в интервале 100-160 K при повышении температуры наблюдается экспоненциальный рост muH, который объясняется наличием энергетических барьеров высотой ΔEa, создаваемых окисными пленками на межзеренных границах. На зависимостях μн, v и ΔEa от содержания MnTe в области составов 0.75-1.25 мол% обнаружены аномалии, которые связываются с концентрационным фазовым переходом перколяционного типа.
Применение капиллярных световодов в спектроскопии
(НТУ "ХПИ", 2003) Лазаренко, Анатолий Григорьевич; Андреев, Александр Николаевич
The review of different capillary light guides applications in spectroscopy. Newely developed capillaries with light guiding properties with water solutions fillings main features and applications methods are discussed. Theoretical possibilities of capillary light guides application in correlation spectroscopy particles sizes determination are shown
Электронно-микроскопическое исследование тонкопленочных кристаллов Cr₂O₃ с использованием дифракционного метода изгибных контуров
(Наука, 2004) Колосов, В. Ю.; Швамм, К. Л.; Багмут, Александр Григорьевич; Григоров, С. Н.
Исследована структура, ориентировка и особенности роста кристаллов, растущих в аморфных конденсатах стехиометрического состава Cr₂O₃ в процессе отжига. Основная часть исследований проведена методами просвечивающей электронной микроскопии, в частности - дифракционным методом изгибных экстинкционных контуров. Определена ориентация зародышей кристаллитов. Обнаружен двухосевой изгиб кристаллической решетки, зависящий от ориентировки зародыша кристалла. Выявлено влияние ориентировки кристалла на анизотропию скорости кристаллизации и морфологию кристаллитов.
Формування структури і фазові перетворення при імпульсній лазерній конденсації металевих, оксидних і напівпровідникових плівок
(Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2004) Багмут, Олександр Григорович
Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.07 - фізика твердого тіла.- Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, Харків, 2003. Дисертація присвячена розв'язанню проблеми встановлення фізичних механізмів формування структури при дискретному осадженні на підкладку пароплазмового потоку, сформованого імпульсним лазерним розпиленням одноелементних металевих і напівпровідникових мішеней, а також дослідженню структурних і фазових перетворень у плівках у постконденсаційний період. Запропоновані моделі і встановлені умови утворення епітаксійних, полікристалічних і аморфізованих газонасичених конгломератних структур. Детальнодосліджені стадії росту й експериментально обґрунтована модель поверхні епітаксіального лазерного конденсату, що визначає структурні перебудови при подальшому відпалі чи при природному старінні. На підставі узагальнення всіх отриманих даних уперше виявлені і класифіковані основні типи структурних і фазових станів, характер нерівноважності і типи релаксаційних процесів, що протікають у постконденсаційний період у лазерних конденсатах ряду металів з різним ступенем хімічної активності.
Универсальный измерительный блок для изучения трех фотоэффектов на монохроматоре УМ-2
(НТУ "ХПИ", 2004) Ушаков, В. В.; Корж, Ирина Анатолиевна
By way of extending of functional mobility and didactic capacity of educational equipment the laboratory device based on monochromator УМ-2 for learning three kinds of photoeffect - external (with vacuume phototube, or photoelectronic multiplyer), internal(with photoresistor) and ventil (with photodiode) is actualized. Alternation brings to effect by adequate commutation of apparatus and elements on the stand. Computation of the optimal duty of ventil photoelement and Plane constant is realized on PC
Регистрация показаний спектрофотометра СФ-46 с использованием ЭВМ
(НТУ "ХПИ", 2004) Шкалето, Владимир Иванович; Копач, Галина Ивановна; Харченко, Н. М.; Карасёв, С. Н.
The circuit of the interface unit of a computer with a spectrophotometer СФ-46, using the universal voltmeter B7-23 is described. The device is intended to automatic registration results of measurement spectral dependencies of a transmittance
Investigation of the growth mechanism, structure, and thermoelectric properties of thin PbTe films grown on mica
(Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів", 2005) Rogacheva, E. I.; Grigorov, S. N.; Lyubchenko, S. G.; Sipatov, A. Yu.; Volobuev, V. V.; Dresselhaus, M. S.
The growth mechanisms, structure, and thermoelectric properties of thin PbTe films prepared by thermal evaporation in vacuum and subsequent deposition on mica substrates at temperatures Ts = 375, 525 and 635 K were studied. The films were prepared from charge with different electron concentrations (n = 10¹⁷ and n = 10²⁰ cmˉ³). The film thickness was varied in the range d = 4-500 nm. Electron microscopy study showed that PbTe grows on mica epitaxially in an island like fashion predominantly in the (111) orientation. It is established that in PbTe films there exists a critical thickness at which the transition from electron to hole conductivity with decreasing d is observed. Covering films with a protective layer, lowering the substrate temperature and increasing electron concentration in the charge result in narrowing of the thickness range corresponding to hole conductivity. It is shown that electron concentrations n in the charge and in thick PbTe films grown at the substrate temperature Ts = 525 K differ, the character and magnitude of this difference depending on n in the charge.
Plastic deformation instabilities in Bi crystals under microindentation
(Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів", 2005) Rogacheva, E. I.; Yakovleva, A. A.; Lyubchenko, S. G.
The dependences of microhardness H on the load on indentor were obtained for bismuth single- and polycrystals. The general tendency to H decreasing with P increasing up to ~0.15 N is observed. After that the microhardness practically does not change. In the range of P = 0.05-0.15 N, in the H(P) dependences the oscillations are detected whose presence is e[plained by qualititative changes in plastic deformation micromechanisms and in the crystal defect structure under increasing indentor load.
Thermoelectric and mechanical properties of bismuth-doped lead telluride
(Інститут термоелектрики НАН України, 2005) Rogacheva, E. I.; Liubchenko, S. G.
The effect of elementary introduced Bi upon thermoelectric properties and microhardness of PbTe is investigated. Non-monotonous behaviour of PbTe properties dependence on bismuth content isestablished. Intricate behaviour of the dependences is associated with the modification of Bi dissolution pattern observed under composition variations as well as percolation effects and selfarrangement processes in the impurity subsystem of the crystal. Concentrations of Bi corresponding to maximum values of thermoelectric power are determined.
Temperature dependences and isotherms of galoanomagnetic properties of Bi doped PbTe crystals and thin films
(Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів", 2006) Rogacheva, E. I.; Lyubchenko, S. G.; Vodorez, O. S.
The temperature dependences of galvanomagnetic properties (the Hall coefficient, electrical conductivity, charge carrier mobility) of (PbTe)₁₀₀₋ₓBiₓ (x = 0-1) alloys obtained by doping PbTe with elementary Bi and thin films prepared from these alloys were studied in the temperature range 80-300 K. On the basis of the temperature dependences, the isotherms of the properties on the Bi concentration, which had been observed earlier at room temperature, is preserved at lower temperatures. This confirms our earlier suggestion about the self-organization processes taking place in the defect subsystem of the crystal at certain Bi concentrations.
Вплив температури підкладки на знак носіїв заряду у плівках PbTe
(Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2006) Любченко, С.; Рогачова, Олена Іванівна
При кімнатній температурі досліджено залежність коефіцієнта термо-електронно-рушійної сили (термо-е.р.с.) від товщини тонких плівок PbTe (d = 10-450 нм), які були виготовлені методом термічного випаровування у вакуумі на підкладки зі слюди при температурах 380 та 530 К. Досліджувались плівки з покриттям для захисту від окиснення і без захисного покриття. Отримані товщинні залежності проаналізовано із урахуванням впливу різних чинників, що визначають тип провідності, який простежено у тонких плівках PbTe – зміна стехіометрії тонкої плівки при зміні температури підкладки, процеси окиснення, зміна складу шихти в процесі випаровування.
Вплив сурми на мікротвердість вісмуту
(Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2006) Яковлева, Г.; Рогачова, Олена Іванівна
Досліджено мікротвердість (Hμ) сплавів Bi₁₋ₓSbₓ залежно від складу (x=0-0,15) та навантаження на індентор (Р=0,01-0,49 Н). Встановлено, що введення Sb приводить до значного зростання мікротвердості Bi. З'ясовано, що характер залежності Нμ(P) суттєво залежить від складу твердого розчину. Одержані результати інтерпретовані у рамках дислокаційних уявлень із урахуванням можливості утворення дислокаційних ансамблів та зміни їх розміру із зростанням навантаження на індентор. Зазначено також про можливість процесів упорядкування дефектної структури, що спричинює збільшення рухливості дислокацій.