Кафедра "Природничі науки"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/1703

Увага! Поповнення колекції кафедри "Природничі науки" від травня 2023 року тимчасово призупинено.

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/ken

Кафедра "Природничі науки" заснована в 1973 році.

Кафедра забезпечувала викладання дисциплін природничого циклу іноземним громадянам, які готуються продовжувати навчання у вищих навчальних закладах України.

Студенти отримують необхідний рівень знань з природничих дисциплін і мають можливість вступати в будь-які вузи України для подальшого навчання.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту міжнародної освіти Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 16

Вплив фізико-технічних режимів магнетронного розпилення на структуру та оптичні властивості плівок CdS та CdTe
(ПП Щербатих О. В., 2016) Копач, Галина Іванівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Харченко, Микола Михайлович; Доброжан, Андрій Ігорович
Дослідження зміни ефективності промислових зразків кремнієвих фотоелектричних перетворювачів із зростанням робочої температури
(Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2016) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Прокопенко, Дмитро Сергійович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Зайцева, Лілія Василівна
Вплив робочої температури на ефективність промислових зразків кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва
(Інститут відновлюваної енергетики НАН України, 2017) Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Зайцева, Лілія Василівна
Досліджено вплив робочої температури на ефективність кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва. Показано, що, не дивлячись на високу вихідну ефективність, при підвищенні робочої температури в досліджуваних фотоелектричних перетворювачах спостерігається істотне зниження вихідних параметрів у порівнянні з промисловими аналогами європейського виробництва. При зростанні робочої температури був встановлений нехарактерний спад щільності струму короткого замикання. Методом комп'ютерного моделювання було показано, що це обумовлено не лише традиційним зростанням щільності діодного струму насичення, а й зниженням шунтуючого опору.
Тонкоплівковий ємнісний перетворювач
(ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2016) Зайцева, Лілія Василівна; Зайцев, Роман Валентинович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Горкунов, Борис Митрофанович
Тонкоплівковий ємнісний перетворювач на основі гетероструктури діелектрик/провідник містить діелектричний шар та провідний електрод. Діелектричний шар ємнісного перетворювача виконано на основі двошарової структури поліімід/Аl₂О₃, а провідний електрод виконано на основі двошарової прозорої структури ІТО/гребінчастий Аl.
Структура і оптичні властивості плівок CdTe, отриманих методом магнетронного розпилення
(Одеський національний університет ім. І. І. Мeчникова, 2016) Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Галина Іванівна; Харченко, Микола Михайлович; Доброжан, Андрій Ігорович
Для створення промислової технології отримання тонких плівок CdTe для базових шарів сонячних елементів та оптоелектронних сенсорів досліджено вплив фізико-технологічних режимів конденсації методом магнетронного розпилення на постійному струмі на кристалічну структуру та оптичні властивості вирощених плівок телуриду кадмію. З'ясовано, що при тиску інертного газу Рарг = 0,9-1 Па, струмі розряду I = 80 мА і напрузі на магнетроні V = 600 В нанесення плівок CdTe методом магнетронного розпилення на постійному струмі на протязі 25 хв. дозволяє отримувати текстуровані шари CdTe гексагональної модифікації, товщина яких 4900-5100 нм і ширина забороненої зони 1,52‑1,54 еВ. Такі плівки телуриду кадмію інтенсивно поглинають світло в ІК області спектру. Після "хлоридної" обробки і послідуючого відпалу на повітрі в результаті фазового переходу вюртцитсфалерит отримані плівки CdTe містять тільки стабільну кубічну модифікацію.
Гнучкі сонячні елементи на основі базових шарів СdТe, отриманих методом магнетроного розпилення
(Сумський державний університет, 2017) Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Галина Іванівна; Зайцев, Роман Валентинович; Доброжан, Андрій Ігорович; Харченко, Микола Михайлович
Досліджено кристалічну структуру та оптичні властивості полікристалічних шарів CdTe, отриманих методом нереактивного магнетронного розпилення при постійному струмі на поліімідних плівках. В результаті аналітичної обробки світлових вольтамперних характеристик отримані значення вихідних параметрів гнучких тонкоплівкових сонячних елементів на їх основі. Показано, що проведення "хлоридної" обробки шарів CdTe, отриманих при Тп < 300 °C, сприяє фазовому переходу в’юртцит-сфалерит та знижує коефіцієнт пропускання плівок на 20-40 % в інфрачервоній області спектру, не змінюючи значення ширини забороненої зони CdTe. Охолодження гетеросистеми ITO/CdS до кімнатної температури перед нанесенням базового шару CdTe, винесення на повітря та послідуючий нагрів до необхідної температури підкладки у вакуумі призводять до зростання значень напруги холостого ходу та коефіцієнту корисної дії досліджених гнучких сонячних елементів ITO/CdS/CdTe/Cu/Au.
Вплив жорсткого ультрафіолету на структуру та оптичні властивості шарів CdS та CdTe
(Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, 2019) Копач, Галина Іванівна; Доброжан, Андрій Ігорович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Мигущенко, Руслан Павлович; Кропачек, Ольга Юріївна; Зайцев, Роман Валентинович; Меріуц, Андрій Володимирович
Досліджено вплив жорсткого ультрафіолетового випромінювання на кристалічну структуру, морфологію поверхні та оптичні характеристики напівпровідникових шарів CdS та CdTe, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі. Встановлено, що оптичні характеристики досліджених плівок CdS та CdTe нечутливі до опромінення жорстким ультрафіолетом. Кристалічна структура шарів плівок CdS і CdTe після опромінення змінюються. Період ґратки для плівок сульфіду кадмію збільшується від с = 6,77(01) Å до с = 6,78(88) Å, що може бути пов'язано з утворенням точкових дефектів та дефектних комплексів. В результаті опромінення жорстким ультрафіолетом спостерігається зменшення ширини піків на рентгендифрактограмах шарів CdS і CdTe, що пов'язано зі збільшенням областей когерентного розсіювання в результаті часткової рекристалізації приповерхневих шарів досліджених плівок.
Кристалічна структура та оптичні властивості тонких плівкок CdTe і CdS, отриманих методом магнетронного розпилення на постійному струмі
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2015) Доброжан, Андрій Ігорович; Хрипунов, Геннадій Семенович
Вплив жорсткого ультрафіолету на структуру та оптичні властивості шарів CdS та CdTe
(ТОВ "Рік-У", 2018) Копач, Володимир Романович; Доброжан, Андрій Ігорович; Мигущенко, Руслан Павлович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Любов, Віктор Миколайович; Меріуц, Андрій Володимирович
Вплив електронного випромінювання на структуру та оптичні властивості шарів телуриду кадмію
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Доброжан, Андрій Ігорович; Копач, Галина Іванівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Харченко, Микола Михайлович