Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787
Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne
Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"
Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.
За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.
Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".
У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.
Переглянути
Документ Методичні вказівки до лабораторних робіт "Обробка електронограм від монокристалічних плівок" з дисципліни "Електронографія"(НТУ "ХПІ", 2005) Бойко, Борис Тимофійович; Шкалето, Володимир Іванович; Меріуц, Андрій ВолодимировичМетодичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни "Електронографія" до розділу "Обробка електронограм від монокристалічних плівок" містять чотири лабораторні роботи: "Ознайомлювальна", "Визначення орієнтації монокристалічної плівки відносно первинного пучка", "Визначення на електронограмі зайвих рефлексів від ненульових Лауе зон", "Визначення на електронограмі зайвих рефлексів від двійників".Документ Методичні вказівки до лабораторних робіт "Числові методи обробки результатів експерименту" з дисципліни "Обчислювальна техніка і програмування"(НТУ "ХПІ", 2005) Меріуц, Андрій Володимирович; Шкалето, Володимир ІвановичМетодичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни "Обчислювальна техніка і програмування" до розділу "Числові методи обробки результатів експерименту" містять три лабораторні роботи: "Числові методи розв’язання рівнянь з однією змінною", "Числове диференціювання та інтегрування", "Числові методи розв’язання систем лінійних алгебричних рівнянь". Кожна із запропонованих лабораторних робіт містить стислі теоретичні дані про відповідні числові методи та кінцеві формули і умови у вигляді нерівностей для розрахунків. Але методичні вказівки не призначені для їхнього окремого використання без спеціальної математичної літератури при вивченні методівДокумент Back surface reflector optimization for thin single crystalline silicon solar cells(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2007) Kopach, V. R.; Kirichenko, M. V.; Shramko, S. V.; Zaitsev, R. V.; Tymchuk, I. T.; Antonova, V. A.; Listratenko, A. M.It has been shown that for single crystalline silicon solar cells (Si-SC) with 180-200 μm thick base crystals, the optimum back surface reflector (BSR) is TiO₂/Al with 0.18 μm thick oxide layer. At such BSR, the reflection coefficient for photoelectric active sunlight reaching the back surface of Si-SC at 0.88-1.11 μm wavelengths attains 81 to 92 % against of 71 to 87 % at direct Al contact with back surface of silicon base crystal.Документ Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах(Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова Национальной академии наук Украины, 2007) Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман Валентинович; Дейнеко, Наталья Викторовна; Копач, Владимир Романович; Антонова, В. А.; Листратенко, А. М.Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений и L обоснован выбор оптимального варианта конструктивно-технологического решения отечественных монокристаллических Si-ФЭП.Документ Влияние геометрических параметров и типа проводимости базовых кремниевых кристаллов на эффективность работы фотопреобразователей(Астропринт, 2007) Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Владимир Романович; Антонова, В. А.; Листратенко, А. М.Представлены результаты исследований исходных и диодных параметров фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), изготовленных на основе базовых кристаллов кремния р- и n-типа проводимости толщиной от 190 до 375 мкм. Путем сопоставления исходных и диодных параметров ФЭП с базовыми кристаллами разной толщины и типа проводимости обоснована целесообразность создания высокоэффективных отечественных ФЭП наземного назначения на основе кристаллов кремния n типа проводимости с толщиной не более 200 мкм.Документ Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2008) Kopach, V. R.; Kirichenko, M. V.; Shramko, S. V.; Zaitsev, R. V.It has been shown that to increase the efficiency and manufacturability of single-crystal silicon photovoltaic solar energy converters (Si-PVC) with 180-200 μm thick base crystals having a polished photoreceiving surface and double-layer back surface reflector (BSR) consisting of a transparent oxide and aluminum layers, a conductive transparent indium-tin oxide (ITO) layer of 0.25 μm interference thickness is to be used as the nonmetallic BSR layer. It provides the ITO/Al BSR reflection coefficient in the range of 85 < R < 96 % for solar radiation photoactive component incident the Si-PVC back surface at substantially zero contribution of ITO layer resistance to the device series resistance. In the case of Si-PVC with inverted pyramid type texture of crystal photoreceiving surface at which the specificity of light distribution in the crystal causes total reflection of radiation from Si/ITO interface, the ITO layer thickness should be experimentally optimized in the 1-2 μm range independently of base crystal thickness to minimize the photoactive radiation losses and ITO layer resistance.Документ New approach to the efficiency increase problem for multi-junction silicon photovoltaic converters with vertical diode cells(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2008) Kopach, V. R.; Kirichenko, M. V.; Shramko, S. V.; Zaitsev, R. V.; Bondarenko, S. A.It is shown, that for efficiency increase of multi-junction photovoltaic solar energy converters with vertical diode cells (VDC) on the basis of single-crystal silicon the modernization of VDC by the introduction along their vertical Si-boundaries single-layer indiumtin oxide reflectors by thickness more than 1 μm is necessary.Документ Методичні вказівки "Робота в середовищі Windows" до самостійної роботи з курсу "Інформатика"(НТУ "ХПІ", 2008) Шкалето, Володимир Іванович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Черних, Олена ПетрівнаДокумент Методичні вказівки "Елементи інформатики" до практичних занять з курсу "Інформатика"(НТУ "ХПІ", 2008) Шкалето, Володимир Іванович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Черних, Олена ПетрівнаДокумент Чувствительность кремниевых фотопреобразователей к углу падения света на их приемную поверхность(Астропринт, 2008) Кириченко, Михаил Валерьевич; Копач, Владимир Романович; Зайцев, Роман Валентинович; Бондаренко, С. А.Документ Методичні вказівки до лабораторних робіт "Хімія матеріалів" з дисципліни "Хімія матеріалів та фазові перетворення"(НТУ "ХПІ", 2008) Клочко, Наталя Петрівна; Копач, Володимир РомановичМетодичні вказівки складаються з лабораторних робіт, які містять теоретичні відомості, експериментальну частину та контрольні запитання і завдання і мають на меті наступне. Набуття навичок приготування розчинів за їх густиною, за масовими частками, мольними долями, процентною концентрацією, титром, молярними, нормальними і моляльними концентраціями речовин. Ознайомлення з принципами якісного хімічного аналізу неорганічних сполук та визначення катіонів металів і аніонів неорганічних солей. Освоєння кількісних титрометричного та гравіметричного аналізів, електрогравіметрії, внутрішнього електролізу та контактного обміну. Статистична обробка одержаних результатів. Дослідження хімічних властивостей елементарних напівпровідників та їх сполук. Синтез бінарних напівпровідникових сполук та дослідження їх хімічних властивостей.Документ Методичні вказівки "Робота з MS Word" до самостійної роботи з курсу "Інформатика"(НТУ "ХПІ", 2008) Шкалето, Володимир Іванович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Черних, Олена ПетрівнаДокумент Методичні вказівки до лабораторних робіт "Визначення типу, концентрації і рухливості основних носіїв заряду в напівпровідниках" з розділу "Дослідження електронних параметрів напівпровідників термоелектричним та гальваномагнітними методами" дисципліни "Фізичні методи дослідження матеріалів"(НТУ "ХПІ", 2009) Копач, Володимир Романович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Харченко, Микола Михайлович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман ВалентиновичМетодичні вказівки до лабораторних робіт з розділу "Дослідження електронних параметрів напівпровідників термоелектричним та гальвано-магнітними методами" дисципліни "Фізичні методи дослідження матеріалів" стосуються чотирьох лабораторних робіт: "Визначення типу основних носіїв заряду в напівпровідниках термоелектричним методом", "Визначення параметрів основних носіїв заряду в напівпровідниках шляхом виміру електрорушійної сили Холла", "Визначення параметрів основних носіїв заряду в напівпровідниках методом Ван-дер-Пау" і "Визначення рухливості основних носіїв заряду в напівпровідниках шляхом виміру геометричного магнетоопору"Документ Методичні вказівки до лабораторних робіт "Визначення питомого електричного опору однорідних напівпровідників і тонких напівпровідникових шарів" з розділу "Контактні та безконтактні методи визначення питомого електричного опору напівпровідників" дисципліни "Фізичні методи дослідження матеріалів"(НТУ "ХПІ", 2009) Копач, Володимир Романович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман ВалентиновичМетодичні вказівки до лабораторних робіт з розділу "Контактні та безконтактні методи визначення питомого електричного опору напівпровідників" дисципліни "Фізичні методи дослідження матеріалів" стосуються двох лабораторних робіт: "Визначення питомого електричного опору однорідних напівпровідників за їхнім повним електричним опором" і "Визначення питомого електричного опору однорідних тонких напівпровідникових шарів чотиризондовим методом"Документ Sensitivity of silicon photovoltaic converters to the light incidence angle on their receiving surface(Астропринт, 2009) Kirichenko, M. V.; Kopach, V. R.; Zaitsev, R. V.; Bondarenko, S. A.The results of output parameters dependences researches for multijunction silicon photovoltaic converters (PVC) upon solar radiation incidence angle on their receiving surface are presented. It has been shown that for improving of PVC efficiency is necessary to achieve the increased values of minority charge carriers lifetime in their base crystals as well as the optical reflection coefficient for metal/Si boundaries (interfaces) inside multijunction PVC, while for using multijunction PVC in the optical location systems the forced reduction of these values is reasonable.Документ Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей(Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова Национальной академии наук Украины, 2009) Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Владимир РомановичПриведены результаты исследований, усовершенствованным методом стационарной фотопроводимости и методом спада фотопроводимости, распределения времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда по толщине пластин монокристаллического кремния. Исследовались пластины p- и n-типов проводимости, предназначенные для изделий электронной техники и подвергнутые таким способам повышения в их приповерхностных областях, как геттерирующий отжиг и глубокое химическое травление. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений предложено использовать подвергнутые глубокому химическому травлению пластины кремния в качестве базовых кристаллов при создании отечественного ресурсосберегающего варианта многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками.Документ Моделювання впливу точкових дефектів на ефективний час життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2010) Дорошенко, Ганна Миколаївна; Копач, Володимир Романович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман ВалентиновичДокумент Сенсори для систем оптичної локації на основі багатоперехідних кремнієвих фотоперетворювачів(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2010) Куца, Н. В.; Кіріченко, Михайло Валерійович; Копач, Володимир Романович; Зайцев, Роман ВалентиновичДокумент Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей(Наука, 2010) Копач, Владимир Романович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Хрипунов, Геннадий Семенович; Зайцев, Роман ВалентиновичПоказано, что для повышения эффективности работы и технологичности изготовления однопереходных монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии необходимо использовать тыльно-поверхностный рефлектор на основе проводящего прозрачного оксида индия–олова (ITO) толщиной 0.25−2 мкм. Для повышения кпд и снижения чувствительности к углу падения света на фотоприемную поверхность многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками на основе монокристаллического кремния необходимо создать вдоль вертикальных границ диодных ячеек рефлекторы из ITO/Al с толщиной слоя ITO более 1 мкм. Проведенные экспериментальные исследования многопереходных фотоэлектрических преобразователей с рефлекторами ITO/Al на границах диодных ячеек показали необходимость модернизации используемой технологии формирования слоев ITO для получения теоретически рассчитанной их толщины.Документ Single-crystal silicon solar cell efficiency increase in magnetic field(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2010) Zaitsev, R. V.; Kopach, V. R.; Kirichenko, M. V.; Lukyanov, E. O.; Khrypunov, G. S.; Samofalov, V. N.It is established in experiment that efficiency of unijunction (UJ) single-crystal silicon solar cells (Si-SC) with horizontal n⁺-p-p⁺ diode structure may increase by a factor of approximately 1.1 after their holding at room temperature during 7 days in perpendicularly oriented stationary magnetic field with 0.2 T induction. The subsequent stabilizing of the obtained positive effect is shown to be realizable by attachment of a thin magnetic vinyl layer (creating in the UJ Si-SC base crystal a magnetic field with induction not exceeding 0.05 T) to the UJ Si-SC at the back electrode side.