Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
7 результатів
Результати пошуку
Документ Структура тонких пленок p-Bi₂Se₃, полученных термическим испарением в вакууме из одного источника(Інститут термоелектрики НАН України, 2015) Рогачева, Елена Ивановна; Будник, А. В.; Федоров, А. Г.; Кривоногов, С. И.; Матейченко, П. В.С использованием методов рентгеновской дифрактометрии, сканирующей электронной микроскопии, энергодисперсионной спектрометрии и атомной силовой микроскопии исследованы механизм роста, микроструктура и кристаллическая структура тонких пленок Bi₂Te₃ с толщинами d = 28-620 нм, полученных термическим испарением в вакууме кристаллов Bi₂Te₃ стехиометрического состава на стеклянные подложки. Полученные тонкие пленки были поликристаллическими, обладали р-типом проводимости и не содержали других фаз, кроме Bi₂Te₃. Показано, что с увеличением толщины пленок размер кристаллитов увеличивается до ~ 700-800 нм. Установлено, что преобладающим направлением роста кристаллитов является направление [00l], соответствующее направлению тригональной оси С₃ в гексагональной решетке. С увеличением толщины пленок свыше ~ 200-250 нм наряду с отражениями от плоскостей (00l) появляются отражения от других плоскостей, свидетельствующие о некоторой разориентации кристаллитов. Полученные результаты показывают, что, используя простой и недорогой метод термического испарения из одного источника и оптимальные технологические параметры, можно получить тонкие пленки p-Bi₂Te₃ достаточно высокого качества.Документ Получение пленок ZnSe в щелочном электролите(Сумський державний університет, 2017) Софронов, Д. С.; Вакслер, Е. А.; Матейченко, П. В.; Софронова, Е. М.; Лебединский, А. М.; Стариков, В. В.; Самойлов, Е. А.В работе описано получение пленок ZnSe со структурой сфалерита электрохимическим способом из щелочного электролита (1-3М раствор NaOH, 0.5M Se) при селенировании цинкового покрытия. Пленки сформированными сферическими агломерированными частицами с размерами 0.5 – 1.5 мкм. При увеличении плотности тока и времени селенирования размер агломеротов уменьшается, а увеличение концентрации NaOH в электролите приводит к потере сплошности пленки в результате увеличения их размеров. Варьированием концентрации NaOH, временем селенирования и плотностью тока возможно получать пленки толщиной до 10.5 мкм. Полученные пленки ZnSe характеризуются p-типом проводимости и удельным сопротивлением 105 – 106 Омм.Документ Структура и свойства пленок ZnSe, полученных методом электрохимического осаждения(Российская академия наук, 2016) Софронов, Д. С.; Стариков, Вадим Владимирович; Новикова, Т. В.; Вакслер, Е. А.; Матейченко, П. В.; Лебединский, А. М.; Бондаренко, Я. А.; Гаман, Д. А.Методом электрохимического осаждения в щелочном растворе получены пленки ZnSe со структурой сфалерита, сформированные сферическими частицами размером 0.5–1.0 мкм (при Jк = 0.05 А/см2). Пленки характеризуются р-типом проводимости с удельным электрическим сопротивлением (1.5– 6.8) × 106 Ом м. Величина ширины запрещенной зоны варьирует в пределах 2.37–2.55 эВ.Документ Оптические и электрические свойства пленок ZnSe, полученных методом гидрохимического осаждения(Российская академия наук, 2015) Софронова, Е. М.; Стариков, Вадим Владимирович; Софронов, Д. С.; Костенюкова, Е. И.; Лебединский, А. М.; Матейченко, П. В.Методом гидрохимического осаждения получены пленки селенида цинка при взаимодействии оксида цинка с селеном в присутствии гидразина и сульфита натрия в щелочной среде. При всех использованных условиях осаждения формируется сфалеритная модификация ZnSe, для которой значения ширины запрещенной зоны находятся в пределах 2.6–2.7 эВ. С ростом концентрации сульфита натрия в растворе средний размер частиц увеличивается до 0.75 мкм (при соотношении Zn2+ : = 1 : 10).Документ Зависимости термоэлектрических свойств от толщины тонких пленок теллурида свинца, легированного индием(Институт термоэлектричества Национальной академии наук, 2014) Меньшикова, Светлана Ивановна; Рогачева, Елена Ивановна; Сипатов, А. Ю.; Матейченко, П. В.; Добротворская, М. В.Получены зависимости термоэлектрических свойств (коэффициента Зеебека S, электропроводности σ, коэффициента Холла RH, подвижности носителей заряда μ и термоэлектрической мощности P = S²·σ) от толщины d (d = 10 – 255 нм) тонких пленок, полученных методом термического испарения в вакууме кристаллов PbTe, легированных индием, и последующей конденсации на подложки (111) BaF₂. При уменьшении толщины пленок до d ≈ 40 нм наблюдается инверсия типа проводимости с n- на р-тип, что связывается с изменением условий термодинамического равновесия и частичным реиспарением атомов свинца и/или индия. На толщинных зависимостях свойств при d1 ≈ 20 нм обнаружены экстремумы, наличие которых указывает на квантование дырочного газа. В области толщин с n-типом проводимости наблюдается плавное изменение термоэлектрических свойств с толщиной, что свидетельствует о проявлении классического размерного эффекта и достаточно хорошо описывается в рамках теории Фукса-Зондхеймера.Документ Размерные эффекты в тонких пленках PbSe, легированного хлором(Институт термоэлектричества Национальной академии наук, 2015) Меньшикова, Светлана Ивановна; Рогачева, Елена Ивановна; Сипатов, А. Ю.; Кривоногов, С. И.; Матейченко, П. В.Установлена возможность получения сильно вырожденных (≈ 3·10²⁰ см⁻³) тонких пленок PbSe (d = 5 – 220 нм) с n-типом проводимости методом термического испарения в вакууме кристаллов PbSe, легированных PbCl₂, с последующей конденсацией на подложки (001) KCl. Показано, что пленки обладают высокой степенью однородности, зеренная структура не наблюдается. Получены толщинные зависимости термоэлектрических свойств (коэффициента Зеебека S, коэффициента Холла RH и электропроводности σ) тонких пленок. В интервале толщин d ≈ 5 ÷ 30 нм наблюдаются осцилляции свойств с ростом d, наличие которых связывается с квантованием электронного газа. Показано, что расчет зависимости S(d) в предположении размерного квантования с учетом вклада нескольких подзон и толщиной зависимости энергии Ферми находится в согласии с экспериментальными данными. В области d > 30 нм наблюдается рост S и σ с толщиной, что связывается с проявлением классического размерного эффекта и интерпретируется в рамках теорий Фукса-Зондхеймера и Майера.Документ Катодное осаждение меди и серебра из разбавленных растворов(НТУ "ХПИ", 2012) Байрачный, Борис Иванович; Борсук, Ольга Николаевна; Софронов, Д. С.; Матейченко, П. В.В статье рассматриваются закономерности катодного осаждения меди и серебра из электролитов с концентрациями потенциалопределяющих ионов не превышающими 0,1 г/дм3. Отмечены особенности кристаллообразования осадков и их характеристика.