Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
4 результатів
Результати пошуку
Документ Теплоємність холоднопресованого Bi₂Te₃(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2020) Мартинова, Катерина Вікторівна; Рогачова, Олена ІванівнаДокумент Вплив температури на положення точки інверсії типу провідності у кристалах Bi100-хTeх(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Новак, К. В.; Рогачова, Олена ІванівнаПублікація Growth and structure of thermally evaporated Bi2Te3 thin films(Elsevier, 2016) Rogacheva, E. I.; Budnik, A. V.; Dobrotvorskaya, M. V.; Fedorov, A. G.; Krivonogov, S. I.; Mateychenko, P. V.; Nashchekina, O. N.; Sipatov, A. Yu.The growth mechanism, microstructure, and crystal structure of the polycrystalline nBi2Te3 thin films with thicknesses d = 15 – 350 nm, prepared by thermal evaporation in vacuum onto glass substrates, were studied. Bismuth telluride with Te excess was used as the initial material for the thin film preparation. The thin film characterization was performed using X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, energy-dispersive X-ray spectroscopy, scan electron microscopy, and electron force microscopy. It was established that the chemical composition of the prepared films corresponded rather well to the starting material composition and the films did not contain any phases apart from Bi2Te3. It was shown that the grain size and the film roughness increased with increasing film thickness. The preferential growth direction changed from [00l] to [015] under increasing d. The X-ray photoelectron spectroscopy studies showed that the thickness of the oxidized surface layer did not exceed 1.5 – 2.0 nm and practically did not change in the process of aging at room temperature, which is in agreement with the results reported earlier for single crystals. The obtained data show that using simple and inexpensive method of thermal evaporation in vacuum and appropriate technological parameters, one can grow n-Bi2Te3 thin films of a sufficiently high quality.Документ Виготовлення надтонких плівок телуриду вісмуту(ТОВ "Планета-Прінт", 2020) Новак, К. В.; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Рогачова, Олена Іванівна; Сіпатов, Олександр Юрійович