Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
4 результатів
Результати пошуку
Документ Зависимости термоэлектрических свойств от толщины тонких пленок теллурида свинца, легированного индием(Институт термоэлектричества Национальной академии наук, 2014) Меньшикова, Светлана Ивановна; Рогачева, Елена Ивановна; Сипатов, А. Ю.; Матейченко, П. В.; Добротворская, М. В.Получены зависимости термоэлектрических свойств (коэффициента Зеебека S, электропроводности σ, коэффициента Холла RH, подвижности носителей заряда μ и термоэлектрической мощности P = S²·σ) от толщины d (d = 10 – 255 нм) тонких пленок, полученных методом термического испарения в вакууме кристаллов PbTe, легированных индием, и последующей конденсации на подложки (111) BaF₂. При уменьшении толщины пленок до d ≈ 40 нм наблюдается инверсия типа проводимости с n- на р-тип, что связывается с изменением условий термодинамического равновесия и частичным реиспарением атомов свинца и/или индия. На толщинных зависимостях свойств при d1 ≈ 20 нм обнаружены экстремумы, наличие которых указывает на квантование дырочного газа. В области толщин с n-типом проводимости наблюдается плавное изменение термоэлектрических свойств с толщиной, что свидетельствует о проявлении классического размерного эффекта и достаточно хорошо описывается в рамках теории Фукса-Зондхеймера.Документ Размерные эффекты в тонких пленках PbSe, легированного хлором(Институт термоэлектричества Национальной академии наук, 2015) Меньшикова, Светлана Ивановна; Рогачева, Елена Ивановна; Сипатов, А. Ю.; Кривоногов, С. И.; Матейченко, П. В.Установлена возможность получения сильно вырожденных (≈ 3·10²⁰ см⁻³) тонких пленок PbSe (d = 5 – 220 нм) с n-типом проводимости методом термического испарения в вакууме кристаллов PbSe, легированных PbCl₂, с последующей конденсацией на подложки (001) KCl. Показано, что пленки обладают высокой степенью однородности, зеренная структура не наблюдается. Получены толщинные зависимости термоэлектрических свойств (коэффициента Зеебека S, коэффициента Холла RH и электропроводности σ) тонких пленок. В интервале толщин d ≈ 5 ÷ 30 нм наблюдаются осцилляции свойств с ростом d, наличие которых связывается с квантованием электронного газа. Показано, что расчет зависимости S(d) в предположении размерного квантования с учетом вклада нескольких подзон и толщиной зависимости энергии Ферми находится в согласии с экспериментальными данными. В области d > 30 нм наблюдается рост S и σ с толщиной, что связывается с проявлением классического размерного эффекта и интерпретируется в рамках теорий Фукса-Зондхеймера и Майера.Документ Dependences of thermoelectric properties on the thickness of thin films of indium doped lead telluride(Institute of Thermoelectricity, 2014) Menshikova, S. I.; Rogacheva, E. I.; Sipatov, A. Yu.; Matychenko, P. V.; Dobrotvorskaya, M. V.Dependences of thermoelectric properties (the Seebeck coefficient S, the electric conductivity σ, the Hall coefficient RH, the carrier mobilityμ and the thermoelectric power P = S²·σ) on the thickness d (d = 10 – 255 nm) of thin films prepared by vacuum evaporation of indiumdoped PbTe crystals and subsequent condensation on (111) BaF₂ substrates were obtained. With decreasing thickness of films to d ≈ 40 nm, there is n- to p-type inversion of conduction which is related to a change in thermodynamic equilibrium conditions and partial reevaporation of lead and/or indium atoms. Extremes were found on the thickness dependences of properties at d₁ ≈ 20 nm which is indicative of hole gas quantization. In the range of thicknesses with n-type conduction there is a smooth change in thermoelectric properties with thickness which testifies to manifestation of classical size effect and is sufficiently well described in the framework of the Fuchs-Sondheimer theory.Документ Size effects in chlorine doped PbSe thin films(Institute of Thermoelectricity, 2015) Menshikova, S. I.; Rogacheva, E. I.; Sipatov, A. Yu.; Krivonogov, S. I.; Matychenko, P. V.The possibility of obtaining strongly degenerate (≈ 3·10²⁰ сm⁻³) PbSe thin films (d = 5 – 220 nm) with n-type conductivity by thermal evaporation in vacuum of PbSe crystals doped with PbCl₂, with subsequent condensation onto (001) KCl substrates was established. It was shown that the films had high homogeneity degree, no grain structure was observed. The thickness dependences of thermoelectric properties (the Seebeck coefficient S, the Hall coefficient RH and the electric conductivity σ) of thin films were obtained. In the thickness range d ≈ 5 ÷ 30 nm, oscillation properties were observed with growth of d that are attributable to electron gas quantization. The calculation of S(d) dependence on the assumption of size quantization with regard to contribution of several subbands and the thickness dependence of the Fermi energy was shown to be in agreement with the experimental data. In the region of d > 30 nm there was growth of S and σ with thickness, which is attributable to manifestation of classical size effect and interpreted in the framework of Fuchs-Sondheimer and Mayer theories.