Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
5 результатів
Результати пошуку
Документ Пленки сульфида олова, полученные сульфуризацией прекурсоров из электроосажденного олова(Сумський державний університет, 2015) Клочко, Наталья Петровна; Момотенко, Александра Витальевна; Любов, Виктор Николаевич; Волкова, Неонила Дмитриевна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман ВалентиновичРабота посвящена разработке экономически выгодной и пригодной для широкомасштабного производства методики получения тонких пленок сульфида олова SnS фотовольтаического назначения. Тонкие пленки SnS с орторомбической структурой герценбергита были синтезированы путем сульфуризации в парах серы слоев олова, электроосажденных из стандартного раствора оловянирования. Синтезированный поликристаллический материал SnS является электронным полупроводником с шириной запрещенной зоны и коэффициентом оптического поглощения оптимальными для использования в солнечных элементах.Документ Electromagnetic compatibility of semiconductor structures with a two-dimensional electron layer(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Kravchenko, Volodymyr; Knyazev, Volodymyr; Serkov, Aleksandr; Breslavets, Vitaliy; Yakovenko, IgorThe subject matter is the mechanisms of interaction of the flow of charged particles with the surface plasmons of a two-dimensional electron layer (2D) due to the action of external pulsed electromagnetic radiation (EMP).The aim is obtaining design relations that determine to what degree the instabilities of natural vibrationsof a two-dimensional electronic layer of a semiconductor structure may influence the performance of semiconductor devices. The objectives area model of occurrence of reversible failures of radio products arising from the transformation of energy of currents induced by external pulsed radiation to excite electrostatic oscillations of a two-dimensional electronic layer of semiconductor structures. The methodsused areanalytical methods for solving electrodynamics (Maxwell) equations and material equations in the framework of kinetic approach. The following resultshave been obtained: The mechanisms of interaction of the flow of charged particles with the natural electromagnetic vibrations of a two-dimensional electron gas occurring due to the presence of a potential barrier at the interface have been studied. Investigations of functioning of semiconductor components of radio products (structures with two-dimensional electron gas) under the influence of strong pulsed electromagnetic fields have been carried out. A kinetic equation describing the change in thenumber of electromagnetic oscillations of such a system has been obtained. The solution of the equation has been found, which allows determining the influence of the barrier on the instability increment of surface vibrations as well as the contributions of the transmitted and reflected components of the particle flux to the increment. Equations for the increment of instabilitie sallow us to determine the energy loss of the induced currents on the excitation of natural oscillations i.e. the emergence of a mode of oscillation generation, which is characterized by a change in the volt-ampere characteristics of radio devices. Conclusion. A comparative analysis of the instabilities of vibrations of structures with a two-dimensional electron gas has been carried out under conditions when the interaction of waves and particles is randomand deterministic. It is shown that the differences in the expressions for increments are associated with a change in the size of the region of interaction of waves and particles. Differences in the influence of the potential barrier on the increment are established in cases where the interaction of surface plasmons and charged particles is determined or has the character of random collisions. The mechanisms of the influence of the boundary on the interaction of surface electromagnetic waves and electrons in the presence of a potential barrier are determined. I ntrinsic electromagnetic oscillations of a two-dimensional electron layer are taken as research objects. The results obtained in the work can be used to assess the operability of electronic equipment in millimeter and submillimeter ranges under the influence of pulsed electromagnetic fields.Документ Поверхностные состояния электронов на неоднородной поверхности твердых тел(НТУ "ХПИ", 2018) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Ваврив, Людмила ВладиславовнаОпределен механизм возникновения поверхностных электронных состояний на периодически неровной границе проводящих твердых тел. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверх- решеток., обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного поля. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих елементах изделий и возникновением их внутренних полей. магнитного излучения. Разработан новый механизм появления поверхностных електронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.Документ Исследование возможности применения интерфейсных реле в системах гибридной коммутации обмоток бистабильных актуаторов(НТУ "ХПИ", 2016) Клименко, Борис Владимирович; Ересько, Александр Вячеславович; Варшамова, Ирина Сергеевна; Лелюк, Николай АнатольевичПредставлены результаты экспериментальных исследований дребезга контактов интерфейсных реле при выполнении операций их включения и отключения в нормальном режиме и в режиме ускорения срабатывания. Приводятся рекомендации по применению малогабаритных интерфейсных реле в системах управления коммутационных аппаратов с гибридной коммутацией электрических цепей обмоток бистабильных актуаторов.Документ Нечеткий логический контроллер качества контцентрата сепаратора 6ЭРМ при питании от регуляторов постоянного тока(НТУ "ХПИ", 2014) Волков, Игорь Владимирович; Стяжкин, Виталий Павлович; Зайченко, Олег АнатольевичПоказано влияние параметров высокоградиентной сепарации, величины производительности и магнитной индукции в рабочих зонах на выход магнитного продукта и потребляемую мощность. Также приведены кривые зависимости величины магнитной индукции в рабочих зонах от величины токов в обмотках намагничивания сепаратора 6ЭРМ. Проведен синтез нечеткого логического контроллера качества концентрата по трем критериям: максимальная производительность, минимальное энергопотребление и минимальное влияние на питающую сеть.