Вісники НТУ "ХПІ"

Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2494


З 1961 р. у ХПІ видається збірник наукових праць "Вісник Харківського політехнічного інституту".
Згідно до наказу ректора № 158-1 від 07.05.2001 року "Про упорядкування видання вісника НТУ "ХПІ", збірник був перейменований у Вісник Національного Технічного Університету "ХПІ".
Вісник Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут" включено до переліку спеціалізованих видань ВАК України і виходить по серіях, що відображають наукові напрямки діяльності вчених університету та потенційних здобувачів вчених ступенів та звань.
Зараз налічується 30 діючих тематичних редколегій. Вісник друкує статті як співробітників НТУ "ХПІ", так і статті авторів інших наукових закладів України та зарубіжжя, які представлені у даному розділі.

Переглянути

Фільтри

2015 - 20173

Налаштування

Автор: search.filters.author.Воляк, Елена Александровна

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    Перспективы получения наноструктур на специальном чугуне при действии фемтосекундного лазера
    (НТУ "ХПИ", 2017) Костюк, Геннадий Игоревич; Воляк, Елена Александровна; Евсеенкова, Анна Владимировна
    Показана возможность получения наноструктур на специальном чугуне за счёт действия фемтосекундного лазера, причём есть возможность образования наноструктур как в зоне формирования зерна, так и в слоях наноструктурной толщины, но больших размеров зёрен больших, чем наноструктурные. Дана методика предварительной оценки технологических параметров лазерного излучения в фемтосекундном временном диапазоне, которая позволяет выявить технологические параметры для получения наноструктур. Она используется для экспресс-оценки возможности получения наноструктур.
  • Ескіз
    Документ
    Особенности образования наноструктур на одно-, двух- и трехкарбидных твердых сплавах при действии лазерного излучения
    (НТУ "ХПИ", 2016) Костюк, Геннадий Игоревич; Бруяка, Ольга Олеговна; Воляк, Елена Александровна
    Рассмотрены возможности получения наноструктур на одно-, двух- и трехкарбидных сплавов при действии фемто- и пикосекундного лазеров. Определены зависимости максимальной температуры, скорости её роста и температурных напряжений от плотности теплового потока (10¹²...10¹⁶ Вт/м²) и при времени его действия от 10⁻¹⁶ до 10⁻¹² с. Показано, что большие температуры, скорости нарастания температур и температурные напряжения реализуются для трехкарбидного твердого сплава ТТ20К9, наименьшие – для однокарбидного твердого сплава ВК4. Анализ скоростей роста показывает, что для всех исследованных режимов она превышает необходимую для образования наноструктур – 10⁷ К/с. Максимальные температурные напряжения для ряда режимов превышают 10¹⁰ Па, что позволяет получать непосредственно наноструктуры вследствие действия температурных напряжений, а для широкого круга режимов они существенно ускоряют процесс образования наноструктур. Полученные значения объёма зерна и глубины его залегания позволили найти технологические режимы для получения наноструктур. Представленные зависимости объёма наноструктур от технологических параметров (плотности теплового потока и времени его действия) позволяют проводить экспресс-оценку технологических параметров получения наноструктур.
  • Ескіз
    Документ
    О возможности определения энергии образования зерна при получении наноструктур в случае действия ионов различных сортов, зарядов и энергий на конструкционные материалы
    (НТУ "ХПИ", 2015) Костюк, Геннадий Игоревич; Матвеев, Александр Владимирович; Воляк, Елена Александровна
    В работе рассмотрена возможность оценки энергии, потребной на кристаллизацию, т. е. образование зерна при получении наноструктур в случае действия ионов различных сортов, энергий и зарядов. На основе квантово-механического подхода с учетом кулоновского отталкивания и ионной связи найдены энергии кристаллизации кластера. Число частиц в кластере рассчитано на основе решения совместной задачи теплопроводности и термоупругости. Показано, что, приняв энергию атомизации, равной энергии кристаллизации, для легких ионов – эта энергия близка к энергии действующих ионов, тогда как для тяжелых она незначительна и ее можно не учитывать.