Вісники НТУ "ХПІ"

Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2494


З 1961 р. у ХПІ видається збірник наукових праць "Вісник Харківського політехнічного інституту".
Згідно до наказу ректора № 158-1 від 07.05.2001 року "Про упорядкування видання вісника НТУ "ХПІ", збірник був перейменований у Вісник Національного Технічного Університету "ХПІ".
Вісник Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут" включено до переліку спеціалізованих видань ВАК України і виходить по серіях, що відображають наукові напрямки діяльності вчених університету та потенційних здобувачів вчених ступенів та звань.
Зараз налічується 30 діючих тематичних редколегій. Вісник друкує статті як співробітників НТУ "ХПІ", так і статті авторів інших наукових закладів України та зарубіжжя, які представлені у даному розділі.

Переглянути

Фільтри

2011 - 20146

Налаштування

Автор: search.filters.author.Червоный, И. Ф.

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 6 з 6
  • Ескіз
    Документ
    Механизм увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах кремния
    (НТУ "ХПИ", 2011) Червоный, И. Ф.; Строителева, Н. И.; Егоров, С. Г.; Воляр, Р. М.
    Рассмотрен механизм повышения времени жизни неравновесных носителей заряди в монокристаллах кремния при использовании исходного сырья с повышенным содержанием примесей.
  • Ескіз
    Документ
    О потенциале огневого рафинирования меди из вторичного сырья
    (НТУ "ХПИ", 2011) Цыганкова, О. В.; Егоров, С. Г.; Червоный, И. Ф.; Воляр, Р. Н.
    Работа посвящена анализу производства меди из вторичного сырья на предприятиях Украины. Показано, что в определенных условиях технологическая цепочка получения высококачественной меди может заканчиваться на операции огневого рафинирования.
  • Ескіз
    Документ
    Оптимизация тепловых условий выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского
    (НТУ "ХПИ", 2014) Червоный, И. Ф.; Голев, Е. А.
    Рассмотрены приемы оптимизации теплового узла для выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского. Для создания заданных тепловых условий выращивания монокристаллов в конструкцию теплового узла вводятся дополнительные теплоизолирующие экраны и специальный верхний конусный экран. Совместное действие системы дополнительных экранов и расположение теплового узла позволило снизить непроизводительные потери тепла, в результате чего потребляемая нагревателем мощность снизилась на 33 %.
  • Ескіз
    Документ
    О надежности процесса получения поликристаллического кремния с применением кремниевых затравок
    (НТУ "ХПИ", 2012) Червоный, И. Ф.; Реков, Ю. В.; Червоный, В. Ф.; Егоров, С. Г.
    Рассмотрено влияние характеристик кремниевых затравок на надежность технологического процесса поликристаллических стержней кремния в процессе водородного восстановления хлорсиланов. Показано, что предельная прочность кремния на изгиб является лимитирующим звеном при обеспечении надежности технологического процесса.
  • Ескіз
    Документ
    Туннельная кристаллизация кремния, германия
    (НТУ "ХПИ", 2012) Червоный, И. Ф.; Швец, Е. Я.; Головко, Ю. В.; Егоров, С. Г.
    Предложен механизм «туннельного» перехода плотности при ускоренной кристаллизации кремния и германия, учитывающий кристаллохимические аспекты кристаллизации атомарных полупроводников.
  • Ескіз
    Документ
    Процесс водородного восстановления трихлорсилана
    (НТУ "ХПИ", 2013) Червоный, И. Ф.; Реков, Ю. В.; Головко, О. П.
    Представлены результаты теоретического исследования о предварительном нагреве прутков-подложек в процессе водородного восстановления трихлорсилана– «Siemens-процесса». Обсуждаются применение легированных прутков-подложек для производства поликристаллического кремния с заданным уровнем концентрации легирующей примеси. В режиме генерации собственных носителей заряда, при нагревании кремния полупроводниковой чистоты в кристаллической решетке генерируются собственные носители заряда, которые обеспечивают определенную, в зависимости от температуры, электрическую проводимость. При использовании легированных прутков-подложек осуществляется расчет концентрации заданного типа примеси, с учетом величины нарощенного слоя поликристаллического кремния и перераспределения примеси между прутком-подложкой и объемом получаемых стержней поликристаллического кремния