Кравченко, Владимир ИвановичЯковенко, Игорь Владимирович2014-10-032014-10-032014Кравченко В. И. Механизмы отказов полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий при воздействии внешнего электромагнитного излучения / В. И. Кравченко, И. В. Яковенко // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Техника и электрофизика высоких напряжений. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2014. – № 21 (1064). – С. 84-87.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/9162Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Определены механизмы генерации колебаний полупроводниковых структур, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях воздействия стороннего электромагнитного излучения.The influence of pulsed electromagnetic radiation on electric radio apparatus is often accompanied by currents arcsing on inner current – conducting elements as well as by the distortion of their internal fields. The power losses of the flow of charged particles caused by such an interaction due to excitation of surface polaritons in the semiconductor superstructure have been determined.ruизлучение импульсноеэлементы проводящиетокколебаниячастицы заряженныепотокelectromagnetic radiationsemiconductor superstructureArticle