Сіньковський, А. С.Янюк, М. Ф.Рибак, О. В.2018-11-122018-11-122018Сіньковський А. С. Високотемпературні теплоізоляційні матеріали на основі віскерів карбіду кремнію, вирощених методом хімічних транспортних реакцій / А. С. Сіньковський, М. Ф. Янюк, О. В. Рибак // Високі технології в машинобудуванні = High technologies in machine engineering : зб. наук. пр. – Харків : НТУ "ХПІ", 2018. – Вип. 1. – С. 131-138.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/38391Експериментально розроблена продуктивна технологія вирощування віскерів карбіду кремнію, що дозволить використовувати вату з монокристалів SiC у якості теплоізоляційного та теплозахисного матеріалу. Визначені умови, необхідні для формування віскерів SiC за механізмом пара – рідина – кристал, та описана установка для їхнього отримання. Проведені дослідження структури та фізичних властивостей цих монокристалів. Також розглянуті можливості подальшого застосування таких матеріалів.In this article a productive technology for silicon carbide whiskers grow ing is presented and experimentally carried out. That would allow to use SiC nanowire materials for thermal insulation and thermal protection. Conditions necessary for creating SiC whiskers on the vapor – liquid – solid method are determined, and the equipment for their obtaining is considered. The structure and physical properties of these nanowires are studied. The possibilities for the further application of those materials are considered as well.ukниткоподібні монокристаливіскериПРК-механізмрівняння Гіббса-Томсонаthermal insulationsilicon carbideArticle