Колосов, В. Ю.Швамм, К. Л.Багмут, Александр ГригорьевичГригоров, С. Н.2017-08-142017-08-142004Электронно-микроскопическое исследование тонкопленочных кристаллов Cr₂O₃ с использованием дифракционного метода изгибных контуров / В. Ю. Колосов [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2004. – № 10. – С. 100-104.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/30786Исследована структура, ориентировка и особенности роста кристаллов, растущих в аморфных конденсатах стехиометрического состава Cr₂O₃ в процессе отжига. Основная часть исследований проведена методами просвечивающей электронной микроскопии, в частности - дифракционным методом изгибных экстинкционных контуров. Определена ориентация зародышей кристаллитов. Обнаружен двухосевой изгиб кристаллической решетки, зависящий от ориентировки зародыша кристалла. Выявлено влияние ориентировки кристалла на анизотропию скорости кристаллизации и морфологию кристаллитов.Structure, lattice orientation and peculiarities of crystal growth in amorphous Cr₂O₃ deposits of stoichiometric composition were investigated. The main part of research work was performed by transmission electron microscopy, in particular – using diffraction method: bend contour technique. The orientations of crystal nuclei were determined. Two-dimensional bending of crystals lattice planes, depending on crystal nuclei orientation was observed. The influence of crystal orientation on anisotropy of crystallization rate and morphology of the crystals was revealed.ruконтур экстинкционныйрешетка кристаллическаякартина зонно-осеваякристаллы серповидныеArticle