Андреев, Александр НиколаевичАндреева, Ольга Николаевна2022-06-012022-06-012020Андреев А. Н. Исследование инерционных характеристик фоторезисторов в физическом практикуме / А. Н. Андреев, О. Н. Андреева // Радіотехніка : всеукр. міжвідом. наук.-техн. зб. / ред. кол.: М. І. Сліпченко [та ін.] ; Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. – Харків : Колегіум, 2020. – Вип. 202. – С. 189-195.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/57051Полупроводниковые фоторезисторы находят широкое применение в различных устройствах фотопреобразователей, особенно там, где необходим широкий диапазон спектральной чувствительности и/или значительная мощность рассеивания. Одной из основных характеристик, влияющей на инерционность и фоточувствительность фоторезисторов, является среднее время жизни неравновесных носителей заряда, возникающих под действием света. Определение данного параметра в требуемом диапазоне освещенностей для каждого конкретного фоторезистора необходимо при регистрации переменных световых потоков. С точки зрения фундаментальной науки, экспериментальное изучение фотопроводимости позволяет студентам инженерных специальностей понять основы зонной теории и физические процессы, возникающие при взаимодействии электромагнитного излучения с полупроводником. Традиционно, для исследования фотопроводимости используется осциллограф и модулированный по амплитуде световой поток, что не позволяет автоматизировать процесс измерения и требует дополнительных габаритных элементов для формирования переменного светового потока (генераторы или прерыватели). Поэтому создание современной компактной автоматизированной установки для индивидуального изучения явления фотопроводимости в физическом практикуме является актуальным.ruполупроводниковые фоторезисторыэлектромагнитное излучениефотопроводимостьмикроконтроллерысветодиодыArticle