Огурцов, Александр НиколаевичБлизнюк, Ольга НиколаевнаМасалитина, Наталья Юрьевна2021-12-012021-12-012011Огурцов А. Н. Определение термодинамических параметров процесса термической инактивации дефектов в радиационной технологии модификации кристаллов облучением / А. Н. Огурцов, О. Н. Близнюк, Н. Ю. Масалитина // Вопросы химии и химической технологии. – 2011. – № 2. – С. 144-146.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/55113В рамках теории абсолютных скоростей реакций исследован процесс термической инактивации экситонных ловушек как один из компонентов радиационной технологии модификации материалов облучением. Определены такие термодинамические параметры процесса инактивации экситонных ловушек в криокристаллах ксенона и криптона, как энергия активации, энтальпия и энтропия инактивации.ruэлектронные возбуждениятемпературадавлениеван-дер-ваальсовые кристаллыArticle