Шевченко, А. И.Мазинов, А. С.Писаренко, Л. Д.2014-11-112014-11-112013Шевченко А. И. Численно-аналитический подход и рабочие характеристики фронтальных P-N переходов / А. И. Шевченко, А. С. Мазинов, Л. Д. Писаренко // Энергосбережение. Энергетика. Энергоаудит = Energy saving. Power engineering. Energy audit. – 2013. – № 8. – Спец. вып. Т. 1 : К 50-летию со дня основания кафедры промышленной и биомедицинской электроники Национального технического университета “Харьковского политехнического института”. – С. 182-186.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/10123Проведены экспериментальные и теоретические исследования фотоэлектрических элементов на основе монокристаллического кремния. Рассмотрены основные теоретические аппроксимации для описания фронтального близко залегающего р-n перехода. Предложен численно–аналитический подход к описанию диффузионной модели барьера оптоэлектронного прибора. Из сравнения экспериментальных и теоретических зависимостей показаны возможные технологические особенности, изменяющие токовые характеристики прибора.Experimental studies and theory of galvanic photovoltaic elementary based on single-crystal silicon were made. The principal theoretical approximations to describe the frontal shallow p-n junction were considered. A numerical and analytical approach to the description of the diffusion model of the barrier of optoelectronic device was proposed. A comparisons of experimental and theoretical curves show the possible technological features that change the current characteristics of the device.ruфотогальванический приборвольтамперные характеристикимонокристаллический кремнийoptoelectronic devicediffusion modelnumerical and analytical calculationsolar cellArticle