Слипченко, Н. И.Письменецкий, В. А.Фролов, А. В.Лукьяненко, В. Л.Гуртовой, М. Ю.2015-10-162015-10-162011Оптимизация параметра состава Х по выходным характеристикам фотопреобразователей структурой AlхGa1-хAs-InхGa1-хAs-GaAs / Н. И. Слипченко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 54. – С. 144-152.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/17493Предложены аппроксимационные модели основных электрофизических параметров тройных соединений AlхGa1-хAs и InхGa1-хAs при вариации параметра состава х. Исследовано влияние на выходные характеристики параметра состава х, определены его оптимальные значения и соответственно максимальный КПД тандемной гетероструктуры.The approximating models of basic electrophysical parameters of triple compaunds AlхGa1-хAs and InхGa1-хAs at a composition parameter x variation are proposed. The influence of composition parameter x on output characteristics has been investigated, its optimum values and accordingly the maximum efficiency of tandem heterostructure are defined.ruтандемные гетероструктурыоптимальный токсолнечное излучениекоэффициент поглощенияtandem heterostructurephotoconvertersoptimum currentArticle