Zhuravel, I. O.Bugayev, Ye. A.Konotopsky, L. E.Zubarev, E. M.Sevryukova, V. A.Kondratenko, V. V.2014-03-132014-03-132012Structural transformation in C/Si multilayer after annealing / I. O. Zhuravel [et al.] // Physical surface engineering. – 2012. – Vol. 10, № 3. – p. 314-318.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4756Amorphous C/Si multilayers were prepared by DC magnetron sputtering technique and investigated by transmission electron microscopy and low-angle x-ray diffraction methods after annealing at 650 and 950 °C. The amorphous interlayers of 0.5 − 0.6 nm thick were found at C/Si and Si/C interfaces being of different density and composition. Amorphous structure of the multilayer is stable up to 950 °C when crystallization of α-SiC occurs and voids form in α-Si layer.Изготовленные методом прямоточного магнетронного распыления аморфные многослойные композиции C/Si были исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии и малоугловой рентгеновской дифракции после отжигов при температуре 650 и 950 °C. На границах раздела C/Si и Si/C обнаружены аморфные перемешанные зоны толщиной 0.5 – 0.6 нм c различными плотностью и составом. Аморфная структура многослойной композиции стабильна вплоть до 950 °C, когда наблюдается формирование пор в слоях α-Si и кристаллизация α-SiCenmultilayerdiffusionnanocrystalsintermixing layersextreme ultra violetмногослойная композициядиффузиянанокристаллыперемешанные зонывакуумный ультрафиолетArticle