Туннельная кристаллизация кремния, германия - Червоный, И. Ф.; Швец, Е. Я.; Головко, Ю. В.; Егоров, С. Г. (НТУ "ХПИ", 2012)
Предложен механизм «туннельного» перехода плотности при ускоренной кристаллизации кремния и германия, учитывающий кристаллохимические аспекты кристаллизации атомарных полупроводников.

The mechanism of "tunnel" transition of density is offered at the accelerated crystallization of silicon and germanium, taking into account crystal-chemical aspects of crystallization of atomic semiconductors.
Keywords: материаловедение; атомарные полупроводники; выращивание монокристаллов; структура; плотность; механизм кристаллизации; silicon; germanium; structure; density; crystallization mechanism