Червоный, И. Ф.Швец, Е. Я.Головко, Ю. В.Егоров, С. Г.2014-10-212014-10-212012Туннельная кристаллизация кремния, германия / И. Ф. Червоный [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2012. – № 18. – С. 79-84.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/9652Предложен механизм «туннельного» перехода плотности при ускоренной кристаллизации кремния и германия, учитывающий кристаллохимические аспекты кристаллизации атомарных полупроводников.The mechanism of "tunnel" transition of density is offered at the accelerated crystallization of silicon and germanium, taking into account crystal-chemical aspects of crystallization of atomic semiconductors.ruматериаловедениеатомарные полупроводникивыращивание монокристалловструктураплотностьмеханизм кристаллизацииsilicongermaniumstructuredensitycrystallization mechanismArticle