Kopach, V. R.Kirichenko, M. V.Shramko, S. V.Zaitsev, R. V.Tymchuk, I. T.Antonova, V. A.Listratenko, A. M.2022-09-222022-09-222007Back surface reflector optimization for thin single crystalline silicon solar cells / V. R. Kopach [et al.] // Functional Materials. – 2007. – Vol. 14, No. 4. – P. 555-561.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58120It has been shown that for single crystalline silicon solar cells (Si-SC) with 180-200 μm thick base crystals, the optimum back surface reflector (BSR) is TiO₂/Al with 0.18 μm thick oxide layer. At such BSR, the reflection coefficient for photoelectric active sunlight reaching the back surface of Si-SC at 0.88-1.11 μm wavelengths attains 81 to 92 % against of 71 to 87 % at direct Al contact with back surface of silicon base crystal.Було показано, що для монокристалічних кремнієвих сонячних елементів (Si-SC) з базовими кристалами товщиною 180-200 мкм оптимальним відбивачем задньої поверхні (BSR) є TiO₂/Al з шаром оксиду товщиною 0,18 мкм. При такому BSR коефіцієнт відбиття фотоелектричного активного сонячного світла, що досягає тильної поверхні Si-SC на довжинах хвиль 0,88-1,11 мкм, досягає 81-92 % проти 71-87 % при прямому контакті Al із тильною поверхнею кремнієвого базового кристала.ensingle crystalline silicon solar cellsreflection coefficientphotoelectric active sunlightsilicon base crystalхімічні реакціїсонячна енергіяелектрична енергіякристали кремніюArticlehttps://orcid.org/0000-0002-4847-506Xhttps://orcid.org/0000-0003-2286-8452