Зайцев, Роман ВалентиновичКіріченко, Михайло ВалерійовичМінакова, Ксенія ОлександрівнаДроздов, Антон МиколайовичШкода, Дмитро Сергійович2023-03-152023-03-152021Підвищення ефективності промислових зразків кремнієвих сонячних елементів / Р. В. Зайцев, М. В. Кіріченко, К. О. Мінакова, А. М. Дроздов, Д. С. Шкода // Вісник Національного технічного університету "ХПІ". Сер. : Енергетика: надійність та енергоефективність = Bulletin of the National Technical University "KhPI". Ser. : Energy: reliability and energy efficiency : зб. наук. пр. – Харків : НТУ "ХПІ", 2021. – № 2 (3). – С. 75-83.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/63327Досліджено можливості збільшення коефіцієнта корисної дії більш ніж на 20% для кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва. Методом комп’ютерного моделювання встановлено, що час життя нерівноважних носіїв заряду, який становить 520 мкс, реалізований у таких фотоелектричних перетворювачах, не обмежує можливості підвищення їх ефективності більш ніж на 20%. Показано, що збільшення щільності фотоструму до 43,1 мА/см² призводить до збільшення коефіцієнта корисної дії до 20,1%, а зниження густини струму насичення діода до 3,1∙10⁻¹⁴ А/см² призводить до збільшення коефіцієнта корисної дії до 20,4%. Одночасна зміна цих характеристик діода призводить до збільшення коефіцієнта корисної дії до 23,1%. У роботі запропоновано фізико-технологічні підходи до збільшення густини фотоструму та зменшення густини струму насичення діода у готових фотоелектричних перетворювачах.Possibilities of increasing the efficiency by more than 20% for silicon photoelectric converters made in China have been investigated. It has been established by the method of computer simulation that the life-times of nonequilibrium charge carriers, which are 520 μs, realized in such photoelectric converters, do not limit the possibility of increasing their efficiency by more than 20%. It is shown that an increase in the photocurrent density to 43.1 mA/cm² leads to an increase in efficiency to 20.1%, and a decrease in the diode saturation current density to 3.1∙10⁻¹⁴ A/cm² leads to an increase in efficiency to 20.4%. Simultaneous change of these diode characteristics leads to an increase in efficiency to 23.1%. The paper proposes physical and technological approaches to increase the photocurrent density and reduce the diode saturation current density in ready-made photovoltaic converters.ukоптимізаціямоделюваннякремнійфотоелектричні перетворювачісонячна енергіяелектричні параметриефективністьoptimizationsiliconphotovoltaic converterssolar energyelectrical parametersefficiencymodellingПідвищення ефективності промислових зразків кремнієвих сонячних елементівImproving the efficiency of industrial samples of silicon solar elementsArticledoi.org/10.20998/2224-0349.2021.02.01https://orcid.org/0000-0003-2286-8452https://orcid.org/0000-0002-4847-506Xhttps://orcid.org/0000-0002-8869-1082https://orcid.org/0000-0001-5736-0697https://orcid.org/0000-0002-3592-9755