Гриднева, Т. В.Сорока, П. И.Тертышный, О. А.2015-12-232015-12-232010Гриднева Т. В. Физико-химические основы процесса получения диоксида кремния из рисовой шелухи / Т. В. Гриднева, П. И. Сорока, О. А. Тертышный // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Химия, химическая технология и экология. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2010. – № 10. – С. 124-134.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/19019Встановлені технологічні параметри процесу та розроблені способи одержання силіцій (ІV) оксиду з рисового лушпиння. Проведені термодинамічні, кінетичні та експериментальні дослідження. На підставі термодинамічного аналізу процесу термічної обробки рисового лушпиння (РЛ) встановлена принципова можливість одержання силіцій (ІV) оксиду з РЛ, температурний інтервал існування максимальної концентрації силіцій (ІV) оксиду. На основі проведених експериментальних досліджень визначені технологічні параметри процесу одержання силіцій (ІV) оксиду.Technological parameters of process have been established and ways of reception dioxide silicon from a rice peel are developed. Are spent thermodynamic, kinetic and experimental researches. For reception dioxide silicon from a rice peel of the raised cleanliness, it is necessary preliminary chemical processing. Based on the spent experimental researches technological parameters of process of reception dioxide silicon have been defined.ruРШпьезоэлектрические свойствапищевая промышленностьпищевая добавкачастицытермическая обработкаArticle