Беспрозванных, Анна ВикторовнаНабока, Борис ГригорьевичМосквитин, Евгений Сергеевич2015-01-202015-01-202010Беспрозванных А. В. Обоснование электрофизических характеристик полупроводящих экранов силовых кабелей высокого напряжения со сшитой изоляцией / А. В. Беспрозванных, Б. Г. Набока, Е. С. Москвитин // Электротехника и Электромеханика = Electrical engineering & Electromechanics. – 2010. – № 3. – С. 44-47.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/11952В силовых кабелях среднего и высокого напряжений применяют полупроводящие экраны по жиле и изоляции. Выполнен анализ влияния диэлектрической проницаемости и удельного электрического сопротивления полупроводящих композиций на напряженность электрического поля, тангенс угла диэлектрических потерь и пропускную способность силового кабеля напряжением 110 кВ.In power cables of average and high voltage, semiconducting screens for a conductor and insulation are utilized. Influence of dielectric permeability and specific resistance of semiconducting compositions on electric field intensity, dielectric dissipation, and transmitting capacity of a 110-kV power cable is analyzed.ruкабели высокого напряженияпотери в полупроводящих экранахдендритывыравнивание напряженноститангенс углаpower cablesemiconducting screendielectric permeabilityelectric resistancedielectric dissipationArticle