Lahlaci, Mohammed ElamineMiloudi, MohamedMiloudi, Houcine2024-05-202024-05-202024Lahlaci M. E. Experimental electromagnetic compatibility of conducted electromagnetic interferences from an IGBT and a MOSFET in the power supply / M. E. Lahlaci, M. Miloudi, H. Miloudi // Електротехніка і Електромеханіка = Electrical engineering & Electromechanics. – 2024. – № 3. – P. 38-43.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/77408Introduction. Most electromagnetic compatibility studies carried out in the context of power switch research are generally valid for low frequencies. This frequency restriction appears to be too restrictive for a complete analysis of the electromagnetic interference conducted. The novelty of this work lies in the load-dependent an optimal selection of IGBTs and MOSFETs for least-disturbance power switching in the frequency range from 150 kHz to 30 MHz, based on an optimal experimental selection procedure and show the impact of load value on switch switching and noise generation. Purpose. Analysis of the fundamental possibility of selecting a switching device with a power supply based on an experimental measurement which allows to increase the reliability of the entire mechanism operation and significantly simplify the design. Methods. In this paper, the proposed study is used and compared with experimental results at low and high frequencies. Then, a comparison is made for conducted electromagnetic interference (common-mode and differential-mode) generated by IGBT and MOSFET for different loads, and the proposed methodology is verified on an experiment suitable for predicting terminal overvoltage analysis and conducted electromagnetic interference problems. Practical value. The primary method for establishing a conducted electromagnetic interference source for switching devices is based on IGBT and a MOSFET depending on the resistive load.Вступ. Більшість досліджень електромагнітної сумісності, які проводяться в контексті досліджень силових вимикачів, зазвичай застосовуються для низьких частот. Це обмеження за частотою видається занадто жорстким щодо повного аналізу електромагнітних перешкод. Новизна даної роботи полягає у залежному від навантаження оптимальному виборі IGBT і MOSFET для комутації потужності з найменшими перешкодами в діапазоні частот від 150 кГц до 30 МГц, на основі оптимальної експериментальної процедури вибору і впливу величини навантаження на перемикання перемикачів і генерацію шуму. Мета. Аналіз принципової можливості вибору комутаційного пристрою з джерелом живлення на основі експериментального виміру дозволяє підвищити надійність роботи всього механізму та суттєво спростити конструкцію. Методи. У цій статті запропоноване дослідження використовується та порівнюється з експериментальними результатами на низьких та високих частотах. Потім проводиться порівняння кондуктивних електромагнітних перешкод (синфазних та диференціальних), що генеруються IGBT і MOSFET для різних навантажень, і запропонована методологія перевіряється в експерименті, який підходить для прогнозування аналізу перенапруги на клемах і проблем кондуктивних електромагнітних перешкод. Практична цінність. Основний метод створення кондуктивного джерела електромагнітних перешкод для комутаційних пристроїв ґрунтується на використанні IGBT та MOSFET залежно від резистивного навантаження.enelectromagnetic interferenceelectromagnetic compatibilitycommon-modedifferential-modeIGBTMOSFETелектромагнітні перешкодиелектромагнітна сумісністьелектромагнітна сумісністьсинфазний режимдиференціальний режимArticledoi.org/10.20998/2074-272X.2024.3.05https://orcid.org/0009-0008-7947-5784https://orcid.org/0000-0001-6416-0204https://orcid.org/0000-0002-3118-0126