Ольховська, Світлана ІванівнаВодоріз, Ольга СтаніславівнаЩуркова, Н.Рогачова, Олена Іванівна2019-02-072019-02-072010Гальваномагнітні властивості кристалів і тонких плівок телуриду свинцю, легованого натрієм / С. І. Ольховська [та ін.] // Вісник Львівського університету. Серія фізична : зб. наук. пр. – Львів : ЛНУ ім. І. Франка, 2010. – Вип. 45. – С. 165-170.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/39538Досліджено вплив легування натрієм та відхилу від стехіометрії при легуванні натрієм на гальваномагнітні властивості полікристалів телуриду свинцю в інтервалі температур 77–300 К. Показано, що введення у PbTe як домішкових, так і власних дефектів приводить до значного зниження рухливості носіїв заряду (дірок) внаслідок збільшення внеску розсіяння на дефектах кристалічної структури. Встановлено, що в епітаксіальних тонких плівках, які одержано методом термічного випаровування у вакуумі кристалів PbTe<Na>, можна досягти концентрації дірок до p77~5×1019 см-3 і значно підвищити рухливість носіїв заряду у порівнянні з масивним кристалом.The influence of doping with sodium and deviation from stoichiometry under doping with sodium on the galvanomagnetic properties of lead telluride polycrystals was studied in the temperature range 77-300 K. It was shown that the introduction of both impurity and native defects into PbTe leads to a significant decrease in charge carrier (hole) mobility due to an increased contribution of scattering by defects of the crystal structure. It was established that in epitaxial thin films prepared by thermal evaporation of PbTe<Na> crystals in vacuum, one can attain hole concentration up to p77~5×1019 cm-3 and substantially increase charge carrier mobility in comparison with bulk crystals.ukтелурид свинцюполікристалилегуваннянатрійнестехіометріятонка плівкаелектропровідністькоефіцієнт Холларухливість носіїв зарядуlead telluridepolycrystalsdopingsodiumnonstoichiometrycompositionthin filmelectrical conductivityHall coefficientcharge carrier mobilityArticle