Меньшикова, Светлана ИвановнаРогачева, Елена ИвановнаСипатов, А. Ю.Матейченко, П. В.Добротворская, М. В.2019-01-302019-01-302014Зависимости термоэлектрических свойств от толщины тонких пленок теллурида свинца, легированного индием / С. И. Меньшикова [и др.] // Термоэлектричество. – 2014. – № 6. – С. 60-71.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/39447Получены зависимости термоэлектрических свойств (коэффициента Зеебека S, электропроводности σ, коэффициента Холла RH, подвижности носителей заряда μ и термоэлектрической мощности P = S²·σ) от толщины d (d = 10 – 255 нм) тонких пленок, полученных методом термического испарения в вакууме кристаллов PbTe, легированных индием, и последующей конденсации на подложки (111) BaF₂. При уменьшении толщины пленок до d ≈ 40 нм наблюдается инверсия типа проводимости с n- на р-тип, что связывается с изменением условий термодинамического равновесия и частичным реиспарением атомов свинца и/или индия. На толщинных зависимостях свойств при d1 ≈ 20 нм обнаружены экстремумы, наличие которых указывает на квантование дырочного газа. В области толщин с n-типом проводимости наблюдается плавное изменение термоэлектрических свойств с толщиной, что свидетельствует о проявлении классического размерного эффекта и достаточно хорошо описывается в рамках теории Фукса-Зондхеймера.ruтеллурид свинцатонкая пленкаразмерный эффектlead telluridethin filmthicknesssize effectArticle