Глушко, П. И.Журавлев, А. Ю.Капустин, В. Л.Семенов, Н. А.Хованский, Н. А.Шеремет, В. И.Широков, Б. М.Шиян, А. В.2017-01-302017-01-302010Исследование процессов получения эпитаксиальных структур Si-Ge на подложках Si и Si-Ge / П. И. Глушко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ", 2010. – № 44. – С. 5-11.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/26764Проведен термодинамический анализ реакций водородного восстановления хлоридов кремния и германия в молекулярном и атомарном водороде. Установлено, что в среде атомарного водорода восстановление хлоридов кремния и германия происходит при более низких температурах, чем в среде молекулярного водорода. Изучена кинетика процессов осаждения кремния и германия водородным восстановлением их хлоридов. Показано, что при температуре выше 1280К скорость осаждения кремния и германия контролируется доставкой галогенидов к растущей поверхности. Выполнены исследования по получению кремний-германиевых сплавов восстановлением хлоридов кремния и германия в низкотемпературной неравновесной плазме ВЧ-разряда. Получены и исследованы образцы с осажденными эпитаксиальными слоями из SiGe на монокристаллических подложках кремния и кремний-германия.ruтермодинамический анализатомарный водородмолекулярный водородпроцессы осаждения кремниякинетикакремний-германиевые сплавыэпитаксиальные слоиArticle