Мамалуй, Андрей АлександровичФомина, Лариса ПетровнаМихайлов, Антон Игоревич2015-06-122015-06-122010Мамалуй А. А. Определение толщины активной области Si-PIN детектора по зависимости интенсивности аналитических линий однокомпонентных эталонов от длины волны / А. А. Мамалуй, Л. П. Фомина, А. И. Михайлов // Журнал нано- и электронной физики = Journal of Nano- and Electronic Physics. – 2010. – Т. 2, № 4. – С. 115-118.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/15323Предложена простая процедура определения толщины активной области детектора, при которой в качестве известных потоков используются потоки аналитических линий флуоресцентного излучения однокомпонентных образцов при их возбуждении монохроматическим излучением вторичного излучателя. Совмещение экспериментальной и расчетной кривых зависимости интенсивности аналитических линий от длины волны позволяет определить толщину активной области d = 170 мкм. с точностью 10 мкм.The simple procedure of the detector active zone thickness determination is proposed, in which the fluxes of fluorescent radiation analytical lines from single-component samples excited by monochromatic radiation of a secondary radiator are used as the known fluxes. The superposition of experimental and calculated curves of the analytical line intensity versus the wavelength allows determination of the active zone thickness d = 170 мm with an accuracy of 10 мm.ruрентгеновское флуоресцентное излучениеаналитические линиидетекторвторичный излучательX-ray fluorescent radiationanalytical linesdetectorsecondary radiatorArticle