Коліушко, Денис ГеоргійовичРуденко, Сергій Сергійович2018-04-162018-04-162018Коліушко Д. Г. Експериментальне обґрунтування методики розрахунку нормованих параметрів заземлювального пристрою на основі тришарової моделі ґрунту / Д. Г. Коліушко, С. С. Руденко // Електротехніка і Електромеханіка = Electrical engineering & Electromechanics. – 2018. – № 1. – С. 66-70.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35663Проведено аналіз можливості застосування розробленої методики визначення нормованих параметрів заземлювального пристрою, розташованого в тришаровому ґрунті, шляхом порівняння результатів експериментальних вимірів з розрахунковими значеннями для діючих високовольтних підстанцій України. Показано, що середня похибка розрахунку значення опору заземлювального пристрою знизилася з 18 % для двошарової моделі ґрунту до менше 10 % для тришарової моделі. Порівняння розрахункових та експериментально визначених значень напруги дотику показало високу ступінь їх співпадіння.Experimental substantiation of the possibility of using the calculation procedure of normalized parameters grounding devices on the basis of a three-layer model soil. The research was based on comparison of the results of experimental measurements for the existing high voltage energy facilities of Ukraine with the results of the calculation. Comparison showed that the average error decreased from 18 % for the two-layer model to 10 % for the three-layer model. The analysis of the calculated and experimentally determined values of the touch voltage showed a high degree of coincidence. The adequacy of the calculation procedure of the normalized parameters of the grounding device for model with three-layer soil is substantiated by the results of experimental research on the existing energy objects. The obtained results allow us to use calculation procedure to create software to determine with increased accuracy the normalized parameters of grounding device located in three-layer soils.ukопірнапруга дотикуНПЗПелектромагнітна діагностикагоризонтальний заземлювачresistancetouch voltageЕкспериментальне обґрунтування методики розрахунку нормованих параметрів заземлювального пристрою на основі тришарової моделі ґрунтуExperimental substantiation of the calculation procedure of normalized parameters of grounding device based on the three-layer soil modelArticle10.20998/2074-272X.2018.1.11