Zaitsev, R. V.Kopach, V. R.Kirichenko, M. V.Lukyanov, E. O.Khrypunov, G. S.Samofalov, V. N.2022-09-222022-09-222010Single-crystal silicon solar cell efficiency increase in magnetic field / R. V. Zaitsev [et al.] // Functional materials. – 2010. – Vol. 17, No.4. – P. 554-557.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/58113It is established in experiment that efficiency of unijunction (UJ) single-crystal silicon solar cells (Si-SC) with horizontal n⁺-p-p⁺ diode structure may increase by a factor of approximately 1.1 after their holding at room temperature during 7 days in perpendicularly oriented stationary magnetic field with 0.2 T induction. The subsequent stabilizing of the obtained positive effect is shown to be realizable by attachment of a thin magnetic vinyl layer (creating in the UJ Si-SC base crystal a magnetic field with induction not exceeding 0.05 T) to the UJ Si-SC at the back electrode side.Експериментально встановлено, що ККД одноперехідних (ОП) монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП) з горизонтальною діодною n⁺-p-p⁺ структурою може зростати приблизно у 1,1 рази після їх витримування при кімнатній температурі протягом 7 діб у перпендикулярно орієнтованому стаціонарному магнітному полі з індукцією 0,2 Тл. Показано можливість наступної стабілізації досягнутого позитивного ефекту за рахунок пристикування до ОП Si-ФЕП з боку тилового електроду тонкого шару магнітного вінілу, який створює у базовому кристалі магнітне поле з індукцією не більше 0,05 Тл.ensingle-crystal silicon solar cellselectrodemagnetic fieldinductionкоефіцієнт корисної діїелектрична енергіяіндукціянапругаArticlehttps://orcid.org/0000-0003-2286-8452https://orcid.org/0000-0002-4847-506Xhttps://orcid.org/0000-0002-6448-5938