Бондаренко, О.Водоріз, Ольга СтаніславівнаРогачова, Олена Іванівна2021-04-162021-04-162012Бондаренко О. Термоелектричнi властивостi твердих розчинiв PbTe-Sb₂Te₃ / О. Бондаренко, О. Водоріз, О. Рогачова // Вісник Львівського університету. Серія фізична = Visnyk of the Lviv University. Series Physics : зб. наук. пр. – Львів : ЛНУ, 2012. – Вип. 47. – С. 46-51.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/52210Проведено дослiдження залежностей коефiцiєнта Холла Rн та коефiцiєнта Зеєбека S вiд складу твердих розчинiв PbTe-Sb₂Te₃ (0-6 мол.% Sb₂Te₃) за кiмнатної температури. Встановлено, що при введеннi Sb₂Te₃ у телурид свинцю при концентрацiї 0.15 мол.% Sb₂Te₃ вiдбувається змiна типу провiдностi з дiркового на електронний, в iнтервалi складiв 0.25-1 мол.% Sb₂Te₃ Rн та S зменшуються i пiсля цього перестають змiнюватися при подальшому зростаннi концентрацiї Sb₂Te₃. Проаналiзовано можливi механiзми дефектоутворення, що призводять до наявних концентрацiйних залежностей S та Rн.The concentration dependences of Hall coefficient Rн and Seebeck coefficient S for PbTe-Sb₂Te₃ solid solutions (0-6 mol.% Sb₂Te₃) at room temperature were investigated. It was established that the process of lead telluride doping with Sb₂Te₃ led to a change in the sign of charge carrier from positive to negative. It was shown that at low dopant concentrations (up to 1 mol.% Sb₂Te₃), the charge carrier concentration n increased and after ~1 mol.% Sb₂Te₃, n did not change. The mechanisms of defect formation which may lead to the observed phenomena were analyzed.ukскладкоефiцiєнт Холлаконцентрацiя носiїв зарядукоефiцiєнт ЗеєбекаcompositionHall coefficientcharge carrier concentrationSeebeck coefficientArticle