Кравченко, Владимир ИвановичЯковенко, Игорь ВладимировичЛосев, Федор Владимирович2015-01-102015-01-102006Кравченко В. И. Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах / В. И. Кравченко, И. В. Яковенко, Ф. В. Лосев // Электротехника и Электромеханика = Electrical engineering & Electromechanics. – 2006. – № 5. – С. 64-66.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/11240Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий с собственными электромагнитными колебаниями структур металл – диэлектрик – полупроводник. Определен инкремент неустойчивости, обусловленный взаимодействием такого рода, определяющий возбуждение колебаний в субмиллиметровом диапазоне.The paper presents an analytical model of an interaction mechanism for currents arising due to action of electromagnetic radiation in current - conducting elements of electric radio apparatus with inner electromagnetic oscillations of metal - dielectric - semiconductor structures. An instability increment that results from this interaction and specifies oscillation excitation in a submillimeter range is determined.ruвзаимодействие токовэлектромагнитные излученияэлектромагнитные колебаниядиэлектрикиполупроводникирадиоэлектронная аппаратураполупроводниковая электроникаплазменные колебанияconducting elementelectromagnetic radiationcurrentsinteraction modeinstability incrementelectric radio apparatusНеустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурахInstability of surface waves at their interaction with a charged particle flux in semiconductor structureArticle