Жемеров, Георгий ГеоргиевичИвахно, Владимир ВикторовичКовальчук, Ольга Игоревна2015-03-112015-03-112011Жемеров Г. Г. Расчет мощности потерь и температуры структуры транзисторно-диодных модулей при компьютерном моделировании преобразователей / Г. Г. Жемеров, В. В. Ивахно, О. И. Ковальчук // Электротехника и Электромеханика = Electrical engineering & Electromechanics. – 2011. – № 4. – С. 21-28.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/13418Рассматривается метод определения суммарной мощности статических и динамических потерь и температуры перехода транзисторно-диодных модулей при дискретном моделировании полупроводниковых преобразователей с помощью пакета MatLab (Simulink) в режимах, когда интервал дискретизации в моделях близок к временам включения и выключения транзистора.A calculation method for the total instant power of static and dynamic losses and transistor-diode modules transition temperature is considered under discrete simulation of semiconductor converters by means of MatLab (Simulink) in modes with a quantization interval in models close to the transistor turn-on and turn-off times.ruэлектромагнитные процессымощностьэлектроснабжениепотери энергииsemiconductor devicetransistorloss powerstatic lossdynamic lossturn-on timeturn off-timecomputer simulationconverterMatLab modelArticle