Кіріченко, Михайло ВалерійовичЗайцев, Роман ВалентиновичМінакова, Ксенія Олександрівна2023-03-062023-03-062023Кіріченко М. В. Фізика напівпровідникових приладів [Електронний ресурс] : навч. посібник / М. В. Кіріченко, Р. В. Зайцев, К. О. Мінакова ; Нац. техн. ун-т "Харків. політехн. ін-т". – Електрон. текст. дані. – Харків, 2023. – 179 с. – URI: http://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/63067.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/63067Оскільки з фізики напівпровідників є велика кількість літератури, у розділі з відповідними посиланнями конспективно викладено ті відомості, які будуть використані під час аналізу властивостей напівпровідникових приладів, і навіть дані необхідні визначення. Основна увага приділена напівпровідниковим матеріалам, які широко застосовуються для виготовлення електронних приладів - моноатомним напівпровідникам кремнію (Si) та германію (Ge), а також напівпровідниковим сполукам А3В5, з яких найбільше освоєно арсенід галію (GaAs). Математичні формули максимально спрощені з урахуванням специфіки цих матеріалів, і навіть умов експлуатації виробів (обмежений температурний спектр). Далі в посібнику наведений матеріал буде використаний для необхідних посилань, щоб не перевантажувати викладками основний текст.ukнавчальний посібникелементи зонної теоріїкінетика носіїв зарядуелектричні процесиімпульсні діодипольові транзисторисилова електронікаварикапистабісторилавинний пробійударна рекомбінаціявипрямляючі діодиBookhttps://orcid.org/0000-0002-4847-506Xhttps://orcid.org/0000-0003-2286-8452https://orcid.org/0000-0002-8869-1082