Rogacheva, E. I.Doroshenko, A. N.Drozdova, A. A.Nashchekina, O. N.Men'shov, Yu. V.2021-04-142021-04-142020Galvanomagnetic properties of polycrystalline Bi₁₋ₓSbₓ solid solutions in the concentration range x = 0-0.25 / E. I. Rogacheva [et al.] // Functional Materials. – 2020. – Vol. 27, № 3. – P. 488-496.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/52118The dependences of the Hall coefficient, electrical conductivity, magnetoresistance, electron and hole concentration and mobility on the Bi₁₋ₓSbₓ solid solution composition in the concentration range x = 0-0.25 at 77 and 300 K in magnetic fields 1 T and 0.05 T were obtained. It was shown that all the dependences exhibit a distinct nonmonotonic oscillating behavior at both temperatures and in both magnetic fields. The presence of concentration-dependent anomalies of galvanomagnetic properties is attributed to critical phenomena accompanying the percolation-type transition from dilute to concentrated solid solutions and electronic phase transitions: a transition to a gapless state, the semimetal – semiconductor transition, and indirect – direct band gap semiconductor transition.Одержано залежності коефіцієнта Холла, електропровідності, магнетоопору, концентрації та рухливості електронів і дірок від складу твердого розчину Bi₁₋ₓSbₓ у концентраційному інтервалі x = 0-0.25 при температурах 77 та 300 К у магнітних полях 1 Тл та 0.05 Тл. Показано, що усі залежності мають чітко виражений немонотонний осцилюючий характер як при різних температурах, так і при різних магнітних полях. Наявність концентраційних аномалій гальваномагнітних властивостей пов'язується із критичними явищами, що супроводжують перколяційний перехід і електронні фазові переходи у безщілинний стан, напівметал – напівпровідник, непрямозонний – прямозонний напівпровідник.encompositiontemperaturemagnetic fieldHall coefficientelectrical conductivitymagnetoresistancecharge carrier mobilitypercolationelectronic phase transitionArticledoi.org/10.15407/fm27.03.488https://orcid.org/0000-0001-7584-656Xhttps://orcid.org/0000-0002-9638-7080https://orcid.org/0000-0002-9638-7080