Богдан, Е. А.Пироженко, Л. А.Наконечный, Д. В.Веревкин, А. А.Полянский, Николай Егорович2015-07-072015-07-072011Исследование процесcов травления кристаллов высокоомного CdZnTe в йодсодержащих растворах / Е. А. Богдан [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Химия, химическая технология и экология. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 65. – С. 98-103.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/15820Детекторы γ-излучения на основе CdTe проходят ряд предварительных операций, одна из которых химическое травление и полирование. В работе исследован процесс химического травления кри-сталлов СdZnTe в растворах І2-ДМФА. Установлена зависимость скорости травления от концентрации йода. Определены диапазоны концентраций йода для полирующего и селективного травления.CdTe gamma-ray detectors pass trough a sequence of preliminary operations, one of them is chemical etching and polishing. The chemical etching process of CdZnTe crystal in iodine-dimethylformamide solution was studied in this work. The dependence of etching speed from iodine concentration was determined. The ranges of iodine concentrations for polishing and selective etching were defined.ruполупроводниковые соединениявысококачественные детекторыхимическое травлениеполированиедиапазоны концентраций йодаArticle