Огурцов, Александр НиколаевичБлизнюк, Ольга Николаевна2013-09-272013-09-272006Огурцов А. Н. Радиационные нанотехнологии модификации модельных кристаллов электронными возбуждениями: 3. Рекомбинационные механизмы / А. Н. Огурцов, О. Н. Близнюк // Интегрированные технологии и энергосбережение. – 2006. – № 3. – С. 47-56.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2415Recombination of radiation-induced created charge carriers results in formation of self-trapped molecular centers, which stimulate the creation of nanoscale defects of Frenkel type in rare-gas solids. In combination with luminescence-kinetic analysis of processes of accumulation of radiation-induced crystal lattice defects the recombination mechanisms may be used for controlled modification of sample crystal structure and for analytical control and certification of growing rare-gas cryocrystalsruкриокристаллы атомарныеэлектронная подсистемаэлектроныэкситонынаномодификациилюминесценциядвукратные молекулярные ионыметод спектроскопиисхема релаксацииArticle