Борцов, Александр Васильевич2017-11-222017-11-222008Борцов А. В. Учет влияния времени коммутации полупроводниковых приборов на форму импульсов напряжения на нагрузке импульсного трансформаторного источника напряжения / А. В. Борцов // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Техника и электрофизика высоких напряжений. – Харьков : НТУ "ХПИ", 2008. – № 21. – С. 20-26.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/32956Розглянутo вплив часу комутації напівпровідникових приладів на форму, амплітудні і часові параметри імпульсів напруги на навантаженні трансформаторного джерела. Встановлена залежність тривалості фронту імпульсу від власних параметрів джерела і часу комутації напівпро-відникових приладів.Influence of time of commutation of semiconductor devices is considered on a form, peak and temporal parameters of pulses of voltage in a load of transformer source. Dependence of duration of pulse front is set on the own parameters of source and time of commutation of semiconductor devices.ruсхема Ларионовасхема Грецасетевой выпрямительэлектрофизические установкикоэффициент затухания контурадифференциальное уравнениеArticle