Кравченко, Владимир ИвановичЛосев, Федор ВладимировичЯковенко, Игорь Владимирович2014-10-212014-10-212012Кравченко В. И. Генерация электромагнитных колебаний полупроводниковой структуры в условиях стороннего электромагнитного воздействия / В. И. Кравченко, Ф. В. Лосев, И. В. Яковенко // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Техника и электрофизика высоких напряжений. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2012. – № 21. – С. 161-169.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/9627Показано, что действие импульсного электромагнитного излучения (ЭМИ) на электроизделия (ЭРИ) часто сопровождается возникновением токов в проводящих элементах ЭРИ и образованием их внутренних полей. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых cверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях действия внешнего ЭМИThe influence of pulsed electromagnetic radiation on electric radio apparatus is often accompanied by currents arcsing on inner current – conducting elements as well as by the distortion of their internal fields. The power losses of the flow of charged particles caused by such an interaction due to excitation of surface polaritons in the semiconductor structure have been determinedruэлектромагнитное излучениеэлектроизделияпроводящие элементывнутренние поляполупроводниковые cверхрешеткизаряженные частицыArticle