Кравченко, Владимир ИвановичДныщенко, Владимир НиколаевичГирка, Юлия НиколаевнаЛосев, Федор ВладимировичЯковенко, Игорь Владимирович2018-03-262018-03-262007Влияние стороннего импульсного электромагнитного излучения на рабочие характеристики полупроводниковых приборов / В. И. Кравченко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Техника и электрофизика высоких напряжений. – Харьков : НТУ "ХПИ", 2007. – № 20. – С. 13-20.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35305Експериментально доведено, що дія імпульсного електромагнітного випромінювання (ЕМВ) на напівпровідникові прилади (кремнієві діоди) супроводжується відхиленням їх вольт-амперних характеристик (появою зворотних відказів). Показано, що такого роду зміни робочих характеристик приладів пов'язано з генерацією власних електромагнітних коливань напівпровідникових комплектуючих приладів при їх взаємодії з токами, наведеними зовнішнім випромінюванням.It has been experimentally proved that pulse electromagnetic radiation effect (EMC) on semiconductor devices (silicon diodes) is accompanied by deviation of their volt-ampere characteristics (appearance of reverse refusals). It was shown that such a type of change of working characteristics of the devices is connected with generator of natural electromagnetic oscillators of semiconductors components with currents induced by external radiation.ruрадиоэлектронная аппаратуранеобратимые отказыобратимые отказыдиодыдиэлектрическая проницаемостьотрицательное сопротивлениеArticle