Глушко, П. И.Журавлёв, А. Ю.Капустин, В. Л.Семёнов, Н. А.Хованский, Н. А.Широков, Б. М.Шиян, А. В.2015-04-232015-04-232011Изучение процессов кристаллизации карбида кремния путём совместного разложения тетрахлорида кремния и толуола в присутствии водорода / П. И. Глушко [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 34. – С. 26-29.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/14385Описан принцип получения карбида кремния на установке проточного типа. В зависимости от различного соотношения между активными компонентами газовой фазы SiCl4:C7H8, поступающими в реактор, исследована и изучена морфология SiC слоя. Показано влияние скорости парогазового потока и температуры подложки на скорость осаждения SiC.Is described principle of obtaining silicon carbide on install a flow-through type. Depending on the different ratio between the active components of the gas phase SiCl4: C7H8, has been investigated and studied the morphology of the SiC layer. Shown the influence of velocity steam-gas flow and substrate temperature on deposition rate of SiC.ruполучение карбида кремнияустановка проточного типапарогазовая смесьморфология слоя SiCпроцесс осаждения SiCприменение карбида кремнияArticle