Червоный, И. Ф.Строителева, Н. И.Егоров, С. Г.Воляр, Р. М.2015-10-152015-10-152011Механизм увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах кремния / И. Ф. Червоный [и др.] // Вестник Нац. техн. ун-та "ХПИ" : сб. науч. тр. Темат. вып. : Новые решения в современных технологиях. – Харьков : НТУ "ХПИ". – 2011. – № 54. – С. 126-130.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/17428Рассмотрен механизм повышения времени жизни неравновесных носителей заряди в монокристаллах кремния при использовании исходного сырья с повышенным содержанием примесей.The mechanism of increase of the non-equilibrium charge carrier lifetime in silicon monocrystals at use of initial raw materials with the increased content of impurity is considered.ruвыращиваниеметод Чохральскогопримесьисходное сырьесолнечные элементытрихлорсиланcrystalgrowthmethod ChohralskyimpurityМеханизм увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда в кристаллах кремнияArticle