Багмут, Александр ГригорьевичБагмут, Иван АлександровичЖучков, Василий АнатольевичШевченко, М. О.2017-08-112017-08-112012Электронно-микроскопическое исследование тонкопленочных лазерных конденсатов HfO₂ / А. Г. Багмут [и др.] // Письма в Журнал технической физики. – 2012. – Т. 38, вып. 1. – С. 45-50.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/30779Методами просвечивающей электронной микроскопии и электронографии исследованы пленки диоксида гафния, полученные импульсным лазерным распылением Hf в атмосфере кислорода. Выявлены условия образования аморфной фазы, а также тетрагональной и моноклинной модификации HfO₂. На ориентирующих подложках кристаллическая фаза формируется при более низких температурах по сравнению с нейтральными подложками. Эффект эпитаксии проявляется для тетрагональной модификации HfO₂. При отжиге на воздухе аморфная пленка кристаллизуется с образованием моноклинной модификации HfO₂.ruдиоксид гафниямодификация моноклиннаяэпитаксия гидриднаянаслаивание молекулярноеосаждение импульсноеосаждение лазерноеArticle