Гринь, Григорій ІвановичПанчева, Ганна МихайлівнаКозуб, П. А.Охремчук, Є. В.Лавренко, Антоніна Олександрівна2013-09-022013-09-022010Фотоелектричні характеристики елементів на основі сульфіду кадмію / Г. І. Гринь, Г. М. Панчева, П. А. Козуб та ін. // Інтегровані технології та енергозбереження. - 2010. - № 1. - С. 65-70.https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/1944The paper describers the study of semiconductor parameters for elements on the basis of cadmium sulfide which are characterized by the simplicity of production technology and the low production cost. When carrying out the experimental research of CdS-based films photoelectrical characteristics we created Ti/CdS heterocontacts and studied their properties on the basis of current-voltage characteristics. In the course of open circuit voltage (Uxx = 0,45…0,49 V) and short circuit current (ікз = 4,04…6,32 mA/dm2) measurement we determined photoelectric effect presence.ukсонячна енергіяальтернативне джерело енергіїфотоелектрична установкафотоенергетикафотоелементисульфід кадміюнапівпроводникиоптична спектроскопіяArticle